30家氮化镓企业及产品技术（备注：以下企业产品只展示氮化镓相关的产品）

（1）日本三菱化学成立时间：三菱化学成立于1994年，总部位于日本；主要产品：氮化镓基板核心技术：可实现无损伤粗糙度值小于Rms0.2nm的平坦表面、通过平面方向控制与原子阶控制，达到了适合外延生长的表面质量。特点具有均一高品位的结晶性与表面质量。应用：广泛用于白光LED、紫外光LED、紫光LED等各种发光二极管的基板。用于功率元器件的基板、用于高频元器件等电子元器件的基板。现已经实现了高质量氮化镓（GaN）基板的批量生产。
（2）日本NTTAT成立时间：NTT尖端科技株式会社成于 1976 年，总部位于日本。产品：GaN HEMT和晶圆代工服务核心技术：拥有在硅（Si）、蓝宝石（Al2O3）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）衬底上生长晶体的技术。公司氮化镓外延片因高击穿电压、低漏电流和出色的 2DEG 特性而闻名，从而被优质的半导体厂商所采用。应用：可用于大功率集成电路及高频率通信领域的高品质氮化镓外延片。
（3）sciocs成立时间：SCIOCS COMPANY LIMITED成立于2015年，其大股东为日本住友化学产品：GaN衬底，GaN外延晶片，GaN模板技术及应用：n型GaN衬底适用于大功率LED，用于显示器，播放器和投光器的激光二极管，目前能提供2英寸n型GaN衬底，4英寸的 n型GaN衬底正在开发中。SI SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT外延晶片，适用于功率开关二极管、功率晶体管、电动汽车/太阳能光伏/数据保护器/电器，感测器等；GaN模板用于房间照明，显示器和一般用途的蓝白色LED，GaN功率开关器件。
（4）日本powdeck.k成立时间：成立于2001年，一家致力于氮化物半导体外延晶片的开发和生产产品：AlGaN， GaN GaN-HEMT基板，AlGaN /蓝宝石紫外传感器基板，GaN /蓝宝石GaN模板基板，GaN/蓝宝石ELO基板
GaN半导体器件开发应用：高频设备，混合动力汽车等的逆变器控制装置，白光LED灯等
（5）英国IQE成立时间：1988年创立，总部位于纽波特（Newport）产品：世界上第一家专门外包的化合物半导体晶圆代工公司，核心技术：IQE通过使用称为外延的工艺在基板（纯晶体材料的圆盘）表面上生长复杂的原子结构来制造晶片或“外延晶片”形式的化合物半导体材料。应用：被全球主要芯片公司用于无线通信、先进太阳能和高效LED照明等领域
（6）法国Soitec成立时间：成立于1992年产品：硅基氮化镓外延片/碳化硅基氮化镓外延片。技术及应用：硅基板的最大直径为200mm，SiC基板的最大直径为150mm。氮化镓技术在射频和功率市场上获得了广泛的关，Soitec首先瞄准基站功率放大器市场，随后还计划通过GaN产品打入智能手机和功率汽车市场。
（7）德国英飞凌成立时间：总部位于德国慕尼黑，于1999年独立，2000年上市；产品：600V及以下GaN HMET-氮化镓晶体管核心竞争：比硅高十倍的击穿场和双电子迁移率，比硅低10倍的输出和栅电荷，使高频成为可能操作，预期寿命超过15年且故障率低于1 FIT。应用：英飞凌氮化镓 CoolGaN™ 系列显著提高了各类系统的价值。此类增强模式 HEMT 具备市场上无出其右的耐用性能，针对消费和工业应用，如服务器、数据通信、电信通信、适配器、充电器、无线充电及音频产品。

（8）美国安森美

成立时间：前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门，于1999年独立上市

产品：600 VGaN 级联结构(Cascode)晶体管，采用优化的TO-220封装; 650 V 半桥门极驱动器，用于 GaN 电源开关.

应用：2015年，安森美与Transphorm建立合作关系，共同开发及共同推广基于GaN的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、通信、LED照明及网络领域的各种高压应用
（9）美国德州仪器成立时间：1930年成立，总部位于德克萨斯州达拉斯，全球有 14 个制造工厂，每年生产数百亿芯片。产品：氮化镓 (GaN) FET，2020年，TI已经可以对600V,150mΩ、70mΩ和50mΩGaN FETs的完整产品组合进行批量生产技术及应用：通过经优化的栅极驱动布局提高了效率，并通过集成过流保护功能和 3,000 万小时的器件可靠性测试实现了高可靠性。工业应用，通讯设备、电子产品工业应用等
（10）意法半导体成立时间：1987年，总部位于瑞士产品：意法半导体计划在2020年前在法国图尔市的前道晶圆厂建立一条完全满足要求的生产线，包括GaN-on-Si异质外延生产线。技术及应用：2019年2月，MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能，支持5G无线网络建设
（11）美国EPC成立时间：成立于2007年产品：EPC是首个推出增强型氮化镓（eGaNTM）FET的公司，可实现对传统功率MOSFET的有效替代；EPC也是增强型GaN功率晶体管的供应商。核心技术：2018年5月，EPC推出350V GaN晶体管EPC2050，2017年6月，EPC推出200V/55A EPC2046功率晶体管，2019年，EPC公司推出增强型氮化镓器件的晶圆，体积是对应硅MOSFET尺寸的1/20，应用：太阳能逆变器、电动车充电器、电机驱动、多级转换器配置。可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。
（12）美国Transphorm成立时间：2007年成立产品：致力于设计、生产GaN（氮化镓）功率转换器和模块，Transphorm建立了业界第一个，也是唯一通过JEDEC认证的600V GaN产品线。技术及应用：2020年第二个900 V GaN FET现已投入生产2019年11月Transphorm为多千瓦级应用交付了超过半百万的GaN功率器件；2017年3月Transphorm宣布推出首款符合汽车标准的GaN FET2015年，Transphorm和安森美建立合作关系，共同推出基于GAN的电源方案。
（13）加拿大GaNSystems成立时间：成立于2008年，总部设在加拿大首都渥太华，专注于设计、研发和销售氮化镓功率开关半导体器件产品：提供100V和650V器件，GaN Systems推出业界最高电流的GaN功率晶体管，150 A和80 A，650 V GaN E-HEMT，2020年Teledyne e2vHiRel和GaN Systems推出高可靠性100V GaN电源HEMT技术及应用：关键技术是Island技术，台积电代工。工业和运输市场，适用于交付无人机、仓储机器人、医疗设备、工厂自动化、电动自行车和滑板车等应用。电动汽车，储能和工业电机；
（14）日本Sanken成立时间：1999年12月成立，IDM企业，原本做硅器件，现转型做GaN、SiC第三代半导体器件。产品：GaN功率器件以600V为主，处于研发阶段。
（15）法国Exagan成立时间：Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔。产品：GaN功率开关器件，G-FET功率晶体管和G-DRIVE智能快速开关解决方案核心技术：该公司的半导体专家团队创造了独特的G-Stack™技术，利用Soitec的材料IP和CEA-Leti广泛的设备专业知识以及业界领先的，可扩展且具有成本效益的200毫米平台生产硅基GaN材料。应用：电源管理，增加服务器电源数据存储密度，功率高达100瓦的大功率AC / DC充电器的小型化将导致家用电子产品的新标准，通过GaN实现的更高频率的转换器可以显着降低成本，因此可以广泛使用太阳能。GaN器件的低欧姆和开关损耗以及高频运行性能，可降低DC-DC和车载充电器的系统成本，重量和尺寸。

（16）荷兰的Nexperia

成立时间：2017年初成为独立公司。Nexperia专注于效率，始终如一地大量生产可靠的半导体组件：每年超过900亿个

产品：650V 33mΩ~50 mΩ GaN FET

技术优势：常关型GaN FET产品提供高功率性能和高频开关，其设计和结构可确保在设计中使用标准的低成本栅极驱动器。

应用：650 V氮化镓（GaN）技术，奈梅亨-下一代GaN技术面向汽车，5G和数据中心应用;采用TO-247封装的器件和创新的Copper Clip SMD，Nexperia与里卡多合作开发基于GaN的EV逆变器设计

（17）美国Navitas

成立时间：Navitas Semiconductor成立于2014年，发明业界首个GaN功率IC，同时节省了40％或更多的能源。

产品：GaNFast电源IC，650V 125mΩ~300 mΩ

技术优势：由Navitas Semiconductor开发的GaNFast电源IC是最快，最高效和最集成的电源GaN技术，可实现尺寸最小，重量最轻的最快，最强大的GaN充电器。

应用：消费电子快充，650V AllGaN™电源IC，用于电源应用

（18）加拿大GaNPower

成立时间：2015年成立，一家位于加拿大温哥华的私人公司，致力于开发电力电子中基于氮化镓（GaN）的技术

产品：分立器件650V /1200VGaNFET，GaN /硅共封装IC和全GaN功率IC

应用：笔记本电脑电源适配器，太阳能电池微逆变器，EV充电站电源模块和数据中心服务器电源模块。

（19）以色列VISIC

成立时间：VisIC Technologies成立于2010年，

产品：GaN基晶体管650V，用于6.7kW车载充电器

技术优势：高电压，大电流（650V，100A）晶体管。D 3 GaN时代伴随着新颖的耗尽型直接驱动GaN技术而出现，它是一种非常适合的技术，可满足电动汽车市场关键驱动应用所需的高度可靠和极其坚固的产品的需求。

应用：2020年，以色列VisIC TechnologiesLtd公司与德克萨斯大学奥斯汀分校（University of Texas at Austin），联手开发100kW逆变器参考设计，可在电动汽车、工业设施、PV和其他应用中，作为800V电源总线电机逆变器的基础。

（20）中国苏州能讯

成立时间：2007年成立，2011年完成第二轮3亿元融资。已经投资3.8亿元人民币，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。

产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管芯

技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。

（21）苏州晶湛

成立时间：2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达1万片。

产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire

技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

（22）珠海英诺赛科

成立时间：成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS 技术。

产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC

技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。

应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车

（23）重庆华润微

成立时间：2000年成立，以销售额计，公司是2018 年前十大中国半导体企业中唯一一家以 IDM 模式为主运营的半导体企业。

产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品

技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。

（24）杭州士兰微

成立时间：成立于1997年9月，总部在中国杭州。2003年上市

产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

（25）重庆聚力成

成立时间：2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片基地

产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件

技术及应用：

目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。

（26）台湾Episil（汉磊先进投资控股公司）

成立时间：在1992年跨足半導體元件代工產業，成立全球第一家雙載子積體電路(Linear Bipolar IC)之專業代工廠，更在1996年開始提供功率半導體(Power MOSFET)元件之代工。

产品：E型GaN FET：0.5um / 30V〜350V，E型 GaNIC ：0.5um〜100V

（27）台湾积体电路制造——代工厂

成立时间：成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量

产品技术：6英寸的GaN-on- Si 外延片已量产

（28）三安集团

成立时间：于2000年11月成立，坐落于厦门

产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si

技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN） E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器/充电器，电信/服务器smp，无线电源，车载充电器(OBC)和成本有效的解决方案。

（29）苏州捷芯威

成立时间：成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。

产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件

技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。

单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。

（30）大连芯冠

成立时间：2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，

产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件

技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

▍氮化镓芯片上游

（来源：充电头网）

▍氮化镓制造工厂

（来源：充电头网）

▍氮化镓品牌厂商

本文素材整理自充电头网

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