锴威特：前三季度研发费总计达2,768万

苏州锴威特半导体股份有限公司在近日接受了投资者的调研，就研发方向、技术储备、产品布局等投资者关心的问题进行了详细解答。

公司研发费用投入总计达2,768万元，同比增长70.26%，研发投入占前三季度内营收的16.95%，同比增加7.68个百分点。公司在超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiC MOSFET等方面已取得深厚技术积累，最高耐压已达1700V，同时具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力，产品已覆盖业内主流电压段，可用于新能源汽车领域。

公司SiC功率器件已顺利实现产品布局，进入产业化阶段，已推出650V-1700V SiC MOSFET产品系列。未来，公司还将进一步促进第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级。尽管目前公司业绩表现不佳，但随着SiC功率器件进入产业化阶段，叠加新能源汽车、光伏能源、高压电网等领域发展带动SiC功率器件需求上涨，公司有望迎来业绩拐点。