三星电子计划明年初量产第9代NAND

据韩媒报道，三星电子宣布正在开发11nm DRAM 和第 9 代 NAND 闪存。

三星电子存储器部门总裁Lee Jeong-bae 通过三星半导体新闻室表示，“在即将到来的10nm以下DRAM和1000层NAND时代，新结构和材料的创新非常重要。对于 DRAM，我们正在研究和开发 3D 堆叠结构和新材料，对于NAND，我们正在增加级数，同时降低高度并最大限度地减少单元之间的干扰。”

目前，三星电子的尖端DRAM和NAND是12nm DDR5 DRAM和236层第8代NAND。该公司于 5 月份开始量产 12nm 级 16Gb DDR5 DRAM，并在9月推出了容量翻倍的新产品。11nm级DRAM预计将具有更快的处理速度和更大的容量。

第9代 NAND很可能是一个非常高层的堆栈，大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高，数据输入/输出速度将比第8代更快。第8代NAND是一款高容量产品，具有业界最高的位密度，支持高达2.4Gbps的数据输入/输出速度。三星电子计划明年初量产第9代NAND。

三星电子计划继续增强其在实现业界最小单元尺寸方面的优势，并保持其在内存市场的竞争优势。就NAND而言，创新技术正在开发中，例如准备引入新结构以最大限度地提高输入/输出速度。

考虑到内存应用的需求，三星也在增加包括高性能、大容量、低功耗技术的产品线。利用 CXL 内存模块 (CMM) 等新接口根据需要增加内存带宽和容量，为未来做好准备。

Lee Jeong-bae 表示，“未来我们将继续扩大我们的高容量 DRAM 产品阵容，并将其扩展到可实现容量高达 1TB 的模块的解决方案，还将进一步推出 CXL 内存模块 (CMM) 等新产品。希望未来可以通过积极利用接口来根据需要扩展内存带宽和容量。”

他还对因人工智能（AI）市场扩张而迅速崛起的高带宽存储器（HBM）表示信心。三星电子目前正在量产HBM3，并正在开发下一代产品HBM3E。

此外，LPDDR DRAM是一种低功耗专用产品，通过最小化漏电流的工艺实现高性能，并计划通过基于LPDDR封装的模块LPDDR5X CAMM解决方案瞄准PC市场和数据中心市场。可扩展至PB级的PB SSD也即将推出。

三星电子将于20日在美国硅谷举办“Samsung Memory Tech Day 2023”，介绍其最新的内存半导体技术、产品和未来战略。