三星第七代1d内存最快明年底量产，发力AI存储

据悉，三星电子正加速推进第七代10纳米级1d DRAM的研发及量产前期准备。从技术指标来看，这款新型内存的电路线宽缩小至10到11纳米。对比现阶段主流商用的第六代1c DRAM，新一代工艺在尺寸微缩上取得突破，使得芯片的综合运算能力及功耗表现得到明显改善。

在量产规划方面，因核心生产设备的开发进度不及预期，整体投产时间出现了一定程度的推迟。综合考量产线磨合与产能爬坡所需周期，业界预计该产品最早将于明年年底进入小批量生产阶段。为保障项目顺利落地，三星拟在明年第二季度引进配套制造设备。同时，其平泽厂区正携手供应链企业持续改良生产工艺并提升良品率，详尽的量产时间表预计在今年年底前正式公布。

着眼于未来发展，1d DRAM构成了三星人工智能存储板块的关键技术基石。该芯片后续将被用作2029年商用HBM5E高带宽内存的核心存储单元，旨在为新一代高端算力硬件提供性能升级支撑，进而完善其在全球高端存储领域的业务布局。