SiC领域,又一合作
来源:化合物半导体市场发布时间:2023-10-091857浏览
询问 AI 10月8日,安徽芯塔电子科技有限公司(下文简称“芯塔电子”)官方公众号发文称,公司董事长兼总经理倪炜江一行到访南京博兰得电子科技有限公司(下文简称“博兰得电子”),与博兰得董事长徐明博士进行深入交流。双方在器件供应、市场拓展、应用开发、技术创新、资源整合等方面合作达成一致,共同签署战略合作协议。
核心技术方面,芯塔电子自主研发的第五代SiC二极管,采用国际最先进MPS技术,产品性能大幅提升,总体成本下降30%以上。第二代SiC MOSFET基于自主工艺技术平台设计,同时布局了包括沟槽型SiC MOSFET技术在内的多项专利,避开了国外的专利限制;从性能上看,产品优值因子性能高,栅极抗干扰能力强、可靠性高。

source:芯塔电子
芯塔电子SiC MOSFET已批量出货南京博兰得20KW直流充电模块产品。基于博兰得专利技术,该产品采用SiC方案后,可做到全范围高效输出,峰值效率可达97.5%,平均满载效率高于96%,领先业界平均水平2%。
截至目前,芯塔电子SiC MOSFET已经在博兰得等近十家充电桩下游客户批量导入,深受市场好评,成为业界知名的国内碳化硅器件品牌供应商。
(文:化合物半导体市场Morty整理)

核心技术方面,芯塔电子自主研发的第五代SiC二极管,采用国际最先进MPS技术,产品性能大幅提升,总体成本下降30%以上。第二代SiC MOSFET基于自主工艺技术平台设计,同时布局了包括沟槽型SiC MOSFET技术在内的多项专利,避开了国外的专利限制;从性能上看,产品优值因子性能高,栅极抗干扰能力强、可靠性高。

source:芯塔电子
source:芯塔电子芯塔电子SiC MOSFET已批量出货南京博兰得20KW直流充电模块产品。基于博兰得专利技术,该产品采用SiC方案后,可做到全范围高效输出,峰值效率可达97.5%,平均满载效率高于96%,领先业界平均水平2%。
截至目前,芯塔电子SiC MOSFET已经在博兰得等近十家充电桩下游客户批量导入,深受市场好评,成为业界知名的国内碳化硅器件品牌供应商。
(文:化合物半导体市场Morty整理)
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