当地时间10月4日，安世半导体宣布已与先进电子元件的国际供应商京瓷AVX组件（萨尔茨堡）有限公司合作，共同生产一款新型650 V 20A SiC整流器模块，适用于3kW~11kW功率堆栈设计的高频功率应用、工业电源等应用、电动汽车充电站和车载充电器。此次联手将进一步深化两家公司现有的长期合作伙伴关系。
减少空间与减轻重量是下一代电源应用制造商的核心要求。这种新型SiC整流器模块的紧凑尺寸将有助于最大限度地提高功率密度，从而减少所需的电路板空间并降低整体系统成本。
使用顶部冷却（TSC）和集成负温度系数（NTC）传感器的组合来优化热性能，该传感器可监控设备温度并为设备或系统级预测和诊断提供实时反馈。该整流器模块采用低电感封装，可实现高频操作，并且经认证可在高达175°C的结温下工作。
安世半导体SiC产品部高级总监Katrin Feurle表示：“安世半导体与京瓷AVX之间的此次合作将尖端的SiC半导体与最先进的模块封装相结合，将使安世半导体能够更好地满足市场对具有极高功率密度的电力电子产品的需求。该整流器模块的发布将代表安世半导体和京瓷AVX之间长期SiC合作伙伴关系的第一步”。
京瓷AVX组件传感与控制部副总裁Thomas Rinschede表示：“我们很高兴能够进一步扩大与安世半导体的合作伙伴关系，生产用于电力电子应用的SiC模块。安世半导体的专业制造知识与京瓷模块专有技术相结合，为希望使用宽带隙半导体技术实现更高功率密度的客户提供了极具吸引力的产品。”
安世半导体预计新型SiC整流器模块的样品将于2024年第一季度上市。
（文：化合物半导体市场Morty编译）
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