国内化合物半导体跑得快 台湾渐入佳境

化合物半导体的未来发展受瞩，光电科技工业协进会（PIDA）认为，国内在化合物半导体的发展上比台湾更快，主因是政府愿意投资，加上需求面也强劲所致，而台湾方面，政府支持力道与全球同步，目前有厂商已在东南亚、美国等地出货，预期将会渐入佳境。

化合物半导体因宽能隙特性，能承受更高功率、更高频率，且拥有极佳的散热效能，且转换效率好，更具节能省电效果，可应用在特殊领域如基站、电动车、低轨卫星、太阳能源以及风电等。由于化合物半导体具未来成长性，各国均视其为国安级产业，除大力奖励扶持外，也加以管制出口。

PIDA分析，化合物半导体适合的应用场域包括电动车、绿能交直流转换与充电桩，5G基站、卫星通讯、军民两用（如雷达），快充等，目前美、日、欧等国将化合物半导体列为军事防卫及太空发展的重要材料，也是出口管制的战略物资。

以两岸来看，国内在氮化镓（GaN）方面，是以长三角为重点发展区域，具备完整产业链；碳化矽（SiC）方面，则以电力电子与第三代半导体产业项目为主，同时呈现遍地开花的现象。

以台湾来说，目前发展第三代半导体的主要大厂包括有环球晶集团、汉民科技集团、富采投控集团、台积电集团以及稳懋半导体等，估计在GaN与SiC的布局，各有17家厂商投入。

PIDA认为，国内在化合物半导体的发展比台湾更快，CEO罗怀家指出，这主要是因为国内政府愿意投资，因此相关厂商可以累积经验；国内在基础材料研究上不弱，再加上出海口也庞大，三大主要应用聚焦在电动车、新能源、服务器与数据中心，需求相当强劲。

不过，罗怀家也指出，国内在化合物半导体的供给方面，虽然条件不错，政府也愿意支持，因此有机会起来，而其擅长用量取胜，但低成本、能够赚钱的化合物半导体现在还看不到。

以台湾来说，逐渐从4寸演化到6寸，2023年6寸晶圆已经做得不错，现在正往8寸迈进。罗怀家认为，目前政府支持化合物半导体的动向与全球同步，希望未来相关业者8寸能够做得更好。

而台湾与国内在化合物半导体上，最大的不同点在于台湾的出海口没有国内多，且国内在技术合作上也较多，因此未来需要加倍努力，所幸目前台湾在东南亚、美国等地都已出货，预期台湾之后将会渐入佳境。

罗怀家指出，主要是台湾在化合物半导体上具有利基点，因为台湾的半导体产业环境成熟，在不同的制程环节上都有厂商可以支应，不管是材料、制造、封装等均是，这将吸引全球不同业者前来寻求合作，也成为台湾的机会。

此外，2023年诺贝尔物理学奖由美国俄亥俄州大学学者亚谷斯蒂尼、法籍瑞典物理学家吕利耶及德国慕尼黑路德维格马克西米利安大学学者克劳兹获得殊荣，主要表彰三人在于「阿秒（attosecond）物理学」的贡献。

PIDA指出，奈秒是10的负9次方秒，飞秒是10的负15次方秒，阿秒则是10的负18次方秒。飞秒因为脉冲非常短，目前已应用在雷射上，至于阿秒雷射目前仍应用在科研，主要聚焦在次原子的范围内，预期将来会是个不错的检测工具。

责任编辑：陈至娴