国产SiC技术再突破，获头部企业一致肯定

最近，国产SiC设备又传来振奋人心的消息——北京中电科电子装备有限公司的SiC晶锭和晶片减薄机实现了6/8英寸大尺寸和新工艺路线匹配的双技术突破。

据了解，该技术已经在SiC衬底制备段及器件背面减薄段实现了小批量应用，并且获得了头部企业的一致认可，而且新的减薄机协同SiC激光改质剥离切割技术，可以大幅降低SiC衬底成本和工时。

众所周知，SiC衬底制备挑战极大，尤其是切磨抛关键环节。传统的砂浆线等切割及研磨技术发展较为成熟，但存在加工效率低、材料损耗大、自动化程度低、面型一致性差等问题，从而导致SiC衬底难以降低成本，阻碍了SiC器件的广泛采用。

砂浆线切割技术不足

加工时间对比

SiC衬底切磨抛环节路线对比

WG-1250碳化硅自动减薄机和WG-1261碳化硅全自动减薄机

最近，北京中电科公司自研的6/8英寸WG-1250碳化硅（晶锭）自动减薄机、WG-1261碳化硅（晶片）全自动减薄机核心技术指标均取得了关键性突破，6/8英寸SiC减薄后厚度均匀性TTV≤2μm（晶片）/TTV≤3μm（晶锭）；翘曲度（WARP）≤30μm（晶片）；表面弯曲程度（BOW）≤±15μm（晶片）；UPH≥4片/小时（激光剥离面@单面去除80μm），UPH≥7片/小时（多线切割面@双面去除各70μm），这些技术指标的突破与设备产品的推出，标志着北京中电科公司驶入SiC衬底、SiC器件产业链发展的快车道。

SiC晶片/晶锭减薄前后及实验数据

据了解，该公司是在原有6英寸SiC自动减薄机和12英寸Si晶圆全自动减薄机的基础上，进一步优化大功率低振动气浮主轴和高刚度高精度气浮载台设计，突破晶圆厚度分区域自动控制技术、晶锭厚度（≤5cm）自动测量技术、不同厚度晶锭同台同时加工技术及磨削/进给自动快速迭代技术等，不断优化激光改质剥离切割后的晶锭/晶片磨削工艺。

此外，北京中电科还联合郑州三磨所进行粗、细、精等金刚石磨轮耗材的工艺适配，克服了SiC材料磨不动不好磨、晶圆面型控制精度差、磨轮损耗大与匹配性差等问题，满足了6/8英寸双尺寸、高质量的减薄需求，受到头部企业的一致认可。

自主可控的SiC减薄用关键核心零部件

北京中电科公司表示，他们这次推出的WG-1250碳化硅（晶锭）自动减薄机、WG-1261碳化硅（晶片）全自动减薄机，可联合国产激光改质剥离切割、晶亦精微SiC专用CMP、太原风华SiC缺陷检测等设备，助力国产6英寸SiC衬底制造的核心装备局部成线能力快速跃升。他们始终以更快、更准、更精为导向，从更精尖技术、更优越性能和更稳定工艺等多维度持续优化SiC减薄设备，助力我国SiC衬底快速迈进8英寸时代。

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