总投资1亿！新增1个GaN项目

近段时间，广西南宁抢抓机遇，新引进氮化镓项目签约落地，总投资为1亿元。

此外，“行家说三代半”还为大家盘点了8个近期国内外氮化镓项目建设合作的进展，详情请往下看。

广西南宁：

引进GaN项目

据广西发改委官网6月12日消息，南宁市新引进的氮化镓第三代半导体产品生产等项目签约落地，未来还将围绕新能源汽车及零部件等产业举办招商推介会。

据“行家说三代半”了解，该项目的建设单位为广西云芯半导体科技有限公司。4月24日，广西云芯半导体对外公示了建设氮化镓生产项目环评报告。

根据报告，该项目主要内容为建设氮化镓第三代半导体产品生产基地以及生产氮化镓第三代半导体产品，总投资金额1亿元。

广西云芯半导体是东莞云芯半导体科技有限公司的子公司，成立于2023年3月；东莞云芯半导体成立于2022年3月。

早在今年2月，南宁高新区举行2023年一季度招商引资项目集中签约仪式，东莞云芯半导体建设氮化镓生产基地等三个项目签约并落户南宁高新区。东莞云芯半导体拟在南宁高新区租用标准厂房建设氮化镓第三代半导体产品生产基地，生产氮化镓第三代半导体产品。

国内外GaN项目盘点

1-7月新增8个

据“行家说三代半”不完全统计，截至目前，国内外还有8个正建设合作的氮化镓项目。

●山东德州项目

德州人才发展集团发布消息称，7月17日下午，第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片设计与制造项目落地座谈会在德州（北京）协同创新中心成功举办。

北京博神微电子科技有限公司董事长兼总经理林福荣等4位公司负责人和技术专家，天衢新区投资促进部副部长党英鹏，天衢新区高端装备产业招商局副局长孙东江参加座谈，德州人才发展集团副总经理戴元滨陪同并主持，中心负责同志参与对接。

会议上，北京博神微电子董事长林福荣介绍了企业概况，并重点介绍了第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片设计与制造项目的核心竞争力、产品市场拓展情况，以及未来在德州落地的计划和需求。

最终，天衢新区和博神微电子围绕推动项目快速落地进行了深入的沟通和洽谈，达成初步合作意向。

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●东科半导体项目

7月17日，东科半导体GaN项目新厂区于近日正式揭牌投用。

据悉，此次投入使用的新厂区占地52亩，新建厂房5.1万平方米，主要从事氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片、氮化镓应用模组封装线的研发、生产和销售。全部达产后，预计可实现年销售收入10亿元。

据“行家说三代半”此前报道，该项目于2020年10月集中开工，总投资为12.25亿元，主要建设标准GMP洁净厂房、办公楼、研发楼等，新增2条GaN超高频AC/DC电源管理芯片封装线、2条GaN应用模组封装线，年产1亿只超高频AC/DC电源管理芯片，5000万只GaN电源模组。

2021年6月，该GaN项目标准化厂房一期1栋厂房第一区段主体结构封顶。

●印度科学研究院项目

7月3日，印度科学研究所(IISc) 正在建设 GaN 中心项目，为此订购了牛津仪器的全套等离子体处理解决方案——包括原子层蚀刻 (ALE)、电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻模块、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)。

据悉，这套氮化镓等离子体加工解决方案将用于开发下一代GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 高功率和高频功率电子器件和射频器件，以提供更好的效率和性能。

●西电广州研究院项目

6月26日，西安电子科技大学广州研究院与新加坡ICCT合作共建的“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心”项目在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上成功签约。

据悉，该项目将围绕第三代半导体射频器件、电力电子器件等产业需求，以大幅提升QFN、陶瓷封装、金属封装等封装技术研发能力为目标，聚力开发满足产业前沿需求的先进封装技术，推进国内领先性能的第三代半导体射频器件、电力电子器件及其模块的研制进程。

●江西中科项目

4月26日，江西中科半导体官网发布了他们建设的“第三代半导体氮化镓材料产业化项目（一期）环评第二次公示”。

根据环评报告，该项目（一期）位于江西吉安井冈山经开区，项目投资金额为 2 亿元，占地面积约50亩，将新建厂房及附属配套设施约3万平方米，建成后形成年产 1.5 万片硅衬底氮化镓外延片材料。

除该项目外，吉安中科还在江西赣州建设了氮化镓项目——2021年8月，吉安中科的全资子公司深圳中科建设的“氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目”正式签约落户于赣州经开区，总投资金额为2亿元。

●合肥光电项目

4月27日，合肥光电半导体产业技术研究院启动仪式在合肥高新区举行。启动仪式上，氮化镓HEMT功率器件研发及产业化、面向储能和充电桩领域的GaN高功率器件应用等8个项目进行了集中签约。

●加睿晶欣项目

3月13日，济宁国家高新技术产业开发区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目环评表。

该GaN项目于2019年3月开工建设，总投资15亿元，总建筑面积10.1万平米，建设涵盖生产车间、研发中心、检测等全系列产业链的标准化园区。

根据公告，该项目一期将购置晶体生长炉、大型多线切割机、自动倒角机等先进设备266台（套），形成长晶、切割、抛光、激光剥离等全链条生产线，年生产2英寸氮化镓单晶衬底10万片。

●格晶项目

1月5日晚，江西省上饶市万年县人民政府与上海格晶半导体有限公司举行了合作签约仪式。

仪式上，万年县政府副县长张东与格晶半导体董事长白俊春等出席，并就氮化镓第三代半导体产业化项目进行了签约。

据悉，格晶半导体的氮化镓项目总投资达25亿元，项目投产后可实现年产5万片8吋GaN功率器件，成为江西省第一家，中国第二家量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂。

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