三星官宣DRAM迎新突破，存储器未来市况如何？

作为半导体存储器最大细分领域，DRAM的发展迭代一直是市场焦点。在存储器逆风之下，原厂仍然在持续发力技术研发，近期三星传来佳音。与此同时，由于需求持续低迷，存储器供给与需求仍是市场关注焦点，近期业界机构TrendForce集邦咨询也对2023年以及2024年存储器市场给出了预测。

三星开发出12nm级32Gb DDR5 DRAM

2023年9月1日，三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。

据三星介绍，通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔（TSV）工艺也能够生产128GB内存模组，该产品与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。

1983年，三星开发出首款64 Kb DRAM，在过去40年里，该公司已成功将其DRAM容量提高了50万倍。三星表示，公司计划以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，继续扩充大容量DRAM产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。

三星强调，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级32Gb DRAM，公司希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在公司与其他主要行业参与者的长期合作中发挥重要作用。

三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示：在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，三星可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。

2024存储器供给与需求观察

2023年已过去一大半，半导体存储器的复苏问题仍是市场关注的焦点。据TrendForce集邦咨询8月30日研究指出，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。TrendForce集邦咨询预估，在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13.0%及16.0%。

TrendForce集邦咨询表示，不过，尽管需求位元有回升，明年若要有效去化库存，并回到供需平衡状态，重点还是仰赖供应商对于产能有所节制，若供应商产能控制得宜，存储器均价则有机会反弹。

今年DRAM领域中HBM的逆势增长给予了产业发展信心。随着人工智能推动高性能GPU需求暴涨，提高HBM产品的渗透力，未来HBM的产能供给如何？

据TrendForce集邦咨询8月9日最新报告指出，存储器原厂在面临英伟达以及其他云端服务业者（CSP）自研芯片的加单下，试图通过加大TSV产线来扩增HBM产能。从目前各原厂规划来看，预估2024年HBM供给位元量将年增105%。不过，考虑到TSV扩产加上机台交期与测试所需的时间合计可能长达9~12个月，因此TrendForce集邦咨询预估多数HBM产能要等到明年第二季才有望陆续开出。

集邦咨询表示，观察HBM供需变化，2022年HBM供给无虞，2023年受到AI需求突爆式增长导致客户的预先加单，即便原厂扩大产能但仍无法完全满足客户需求。展望2024年，TrendForce集邦咨询认为，基于各原厂积极扩产的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望获改善，预估将从2023年的-2.4%，转为0.6%。

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