中微半导体剔除3名美国国籍核心技术人员

电子工程专辑讯近日，中微半导体公布多项公告，分别有核心技术人员的调整，以及2023年半年报的报告。

中微半导体剔除原核心技术人员杜志游、麦仕义、李天笑，将不再参加该公司的核心技术研发，故不再认定为该公司的核心技术人员，不过还在该公司任职。同时，中微半导体新增认定丛海、陶珩、姜勇、陈煌琳、刘志强、何伟业为核心技术人员。

据公告显示，杜志游、麦仕义、李天笑这三人均是美国国籍，具体简历如下：

杜志游出生于1959年，美国国籍，是上海交通大学学士，麻省理工学院硕士、博士。1990年至1999年，历任PraxairInc.高级工程师、经理、董事总经理等；1999年至2001年，担任应用材料全球供应管理经理；2001年至2004年，担任梅特勒-托利多上海子公司总经理；2004年至今，历任中微公司副总裁、资深副总裁、首席运营官、副总经理。截至本核查意见披露日，杜志游先生直接持股1,398,326股，所持股份合计占该公司总股本0.23%。

麦仕义博出生于1947年，美国国籍，是台湾大学学士、美国马里兰大学博士。1985年至1989年，担任英特尔资深工程师；1989年至2003年，担任应用材料资深总监；2004年1月至2004年6月，担任英特尔项目经理；2004年8月至2020年3月，任中微公司副总裁。截至本核查意见披露日，麦仕义先生直接持股1,851,326股，所持股份合计占该公司总股本0.30%。

李天笑先生出生于1958年，美国国籍，复旦大学学士、美国韦恩大学硕士、美国纽约大学硕士。1990年至1995年，担任美国索尼资深电气工程师；1995年至2004年，担任应用材料亚太项目经理；2004年9月至今，任中微公司副总裁。截至本核查意见披露日，李天笑先生直接持股1,663,782股，所持股份合计占该公司总股本0.27%

同时，杜志游、朱新萍先生将请辞中微半导体副总经理职位，已经提交书面辞职报告，将由丛海先生、陶珩先生担任该公司副总经理，任期与该公司第二届董事会任期一致。

中微半导体获得了杜志游先生在任职期内，参与研究并作为第一发明人获得知识产权共40项；麦仕义先生在任职期内，参与研究并作为第一发明人获得知识产权共2项；李天笑先生在任职期内，参与研究并作为第一发明人获得知识产权共2项。

杜志游、麦仕义、李天笑与中微半导体分别签署了《保密协议》及《雇员保密信息和发明协议》，对各方的权利义务进行了约定。

新增的六位核心技术人员中，丛海先生、刘志强先生是新加坡国籍，陈煌琳先生是中国台湾籍，其余均是中国国籍。具体简历介绍如下：

丛海先生，1967年出生，新加坡国籍，新加坡国立大学硕士研究生。1995年至2002年，担任新加坡特许半导体蚀刻资深工程师；2002年至2003年，担任美国台积电海外厂蚀刻资深工程师；2003年至2018年，担任新加坡GlobalFoundries研发部蚀刻部技术总监；2020年加入中微公司，现任中微公司董事、副总裁、刻蚀产品部总经理。截止本核查意见披露日，丛海先生通过AdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.Asia持有公司股份36,841股，所持股份合计占该公司总股本0.01%。

陶珩先生，1975年出生，中国国籍，上海交通大学硕士研究生。1997年至2002年，担任武汉理工大学校办工厂机械工程师；2002年至2003年担任捷锐气压设备（上海）有限公司机械工程师；2003年至2005年担任精技机电（上海）有限公司机械工程师。2005加入中微公司，现任该公司董事、集团副总裁、LPCVD产品部和公共平台工程部总经理。截止本核查意见披露日，陶珩先生通过嘉兴创微企业管理合伙企业（有限合伙）持有该公司股份133,570股，所持股份合计占该公司总股本0.02%

姜勇先生，1974年出生，中国国籍，上海交通大学工学学士，上海交通大学工学硕士。2005年加入中微公司，现任中微公司副总裁、MOCVD产品部副总经理。截止本核查意见披露日，姜勇先生直接持有公司股份2,790股，通过嘉兴创微企业管理合伙企业（有限合伙）持有该公司股份142,011股，所持股份合计占该公司总股本0.02%。

陈煌琳先生，1970年出生，中国台湾籍，台湾工业技术学院学士。2000年至2018年，就职于泛林半导体，任职资深客户服务经理；2018年加入中微公司，现任中微公司副总裁、ICP产品部总经理。截止本核查意见披露日，陈煌琳先生直接持有该公司股份2,030股，通过AdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.Asia持有中微公司股份58,284股，所持股份合计占该公司总股本0.01%。

刘志强先生，1977年出生，新加坡国籍，北京清华大学学士，硕士。2002年至2004年，就职于中芯国际集成电路制造有限公司，担任蚀刻工艺工程师；2004年至2008年，担任新加坡特许半导体蚀刻主任工程师。2008年加入中微公司，现任中微公司副总裁、CCP刻蚀部总经理。截止本核查意见披露日，刘志强先生未直接或间接持有该公司股份。

何伟业先生，1982年出生，中国国籍，南京大学学士，硕士。2007年至2010年，就职于中芯国际逻辑技术研发部，担任工艺工程师；2011年至2021年，就职于应用材料（中国）有限公司，历任技术主管、产品经理；2021年加入中微公司，现任中微LPCVD产品部总经理。截止本核查意见披露日，何伟业先生未直接或间接持有该公司股份。

调整后，中微半导体的核心技术人员共有9人，具体如下：

中微2023半年报公布，人均年化营收350万元

中微半导体从事等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备，包括存储器件的芯片结构从两维向三维结构的转变，等离子体刻蚀和薄膜沉积成为了关键及需要最多的工艺步骤。特别是等离子体刻蚀设备是工艺步骤最多、工艺过程开发难度最高、市场增长最快的设备，占半导体前道设备总市场的约22%。

中微半导体开发的导体化学薄膜沉积设备LPCVD和外延设备EPI也是关键的设备品类，还通过投资布局了光学检测设备。此外还有三五族化合物半导体制造的关键核心设备——MOCVD设备，该高端外延设备的应用从照明，向大面积显示屏、功率器件、微显示等新兴领域扩展。

据悉，中微半导体已经拥有了约3700个等离子体刻蚀和化学薄膜的反应台，在全球拥有超百条生产线。

2023上半年，中微半导体营业收入同比增长28.13%，达到25.27亿元，归母净利润同比增长114.4%达到10.03亿元。其中，研发投入占营收的18.22%，达到4.6亿元。

中微的全球员工人数为1461人，研发人员占比员工总数的43.39%，达到634人，其中硕士、博士研究生占比研发人员的47.64%，达到人均创收350万元。

中微半导体在2004年首创了甚高频去耦合的离子反应刻蚀的等离子体源（DecoupledRIE），还有单台和双台刻蚀反应器的独特设计，CCP电容性高等等离子体刻蚀设备的市占率不断提升，针对28nm及以下的逻辑器件生产中广泛采用的大马士革刻蚀一体化工艺，以及在存储器件制造工艺中的极高深宽比的刻蚀机开发也有了突破。

中微半导体的ICP电感性低能等离子体刻蚀机应用市场包括单片机Nanova和双片机Twinstar产品、DRA、3DNAND、功率和电源管理，以及MEMS微机电系统等芯片和器件。还有氮化镓基LED的关键设备MOCVD设备在Mini-LED产业中的蓝绿光LED生产线上取得领先地位。

目前，中微半导体正在进行三个重大项目建设，在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已经建成完工，并在2023年7月正式投入使用；在上海临港的约18万平方米的生产和研发季度主体建设已完成，上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也在建设中。