意法半导体量产氮化镓器件PowerGaN

意法半导体最近宣布，已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。

STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管，提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。

该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管，能够减小电源和适配器的尺寸和重量，实现更高的能效、更低的工作温度和更长的使用寿命。

今年以来，意法半导体大动作不断。GaN方面，今年6月，根据外媒消息，空客已同意与意法半导体签署了一项协议，旨在探索宽禁带半导体材料对飞机电气化的好处，双方将专注于开发适用于空客航空航天应用的SiC和GaN器件、封装和模块。

空中客车首席技术官Sabine Klauke表示：意法半导体的电力电子专业知识与空中客车的飞机和VTOL电气化相结合，将加速实现世界上第一架氢动力商用飞机以及全电动城市空中交通。

目前没有提供有关两家公司将在该计划上花费的时间范围或金额的详细信息。两家公司表示，这项工作将包括开发电动机控制单元、高压和低压电源转换器以及无线电力传输系统。（文：化合物半导体市场 Arely整理）

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