EPC推出40V抗辐射GaN FET

62A和250A器件适用于星载应用和其他高可靠性应用

EPC推出了两款新型40 V额定抗辐射GaN FET。其中EPC7001是一款40V，4 mΩ的抗辐射GaN FET，脉冲为250A，占用面积为7 mm2。EPC7002是一款40V，14.5 mΩ的抗辐射GaN FET，脉冲为62A，占用面积仅为1.87 mm2。

这两款器件的总剂量辐射额定值均超过1,000K Rad(Si)，LET的SEE抗扰度为83.7 MeV/mg/cm2，VDS高达额定击穿值的100%。这些新器件以及其他抗辐射器件均采用芯片级封装。封装版本由EPC Space提供。

EPC表示，其eGaN FET和IC为传统抗辐射硅器件提供了性能更高的替代品，可用于高可靠性应用和空间应用。与抗辐射硅器件相比，GaN FET的优点包括器件的尺寸缩小、电气性能提高40倍、成本降低。EPC还表示，这类抗辐射器件展现出卓越的抗辐射能力，与传统硅解决方案相比，可支持更高的总辐射水平和SEE LET水平。

许多应用得益于这类器件，包括空间应用中的DC-DC电源转换器、电机驱动器、激光雷达、深度探测和离子推进器。这类器件尤其适合在近地轨道(LEO)和地球同步地球轨道(GEO)运行的卫星和航空电子系统。

EPC首席执行官和联合创始人Alex Lidow表示，“抗辐射系列产品拥有无与伦比的性能和可靠性，与重要航天传统相结合，可实现更高效更强大的系统，以在恶劣环境中实现广泛应用，例如空间应用和其他高可靠性军事应用。”

现可提供EPC7001和EPC7002的工程样品。