SiC将成业绩增长第三极，锴威特“双核”并举发力产业新蓝海

集微网消息，据Omdia数据，中国是全球最大的功率半导体应用市场，市场规模预计将由2021年的182亿美元增长至2024年的206亿美元。但如此庞大的市场主要由欧美日公司所主导，据CCID统计，我国功率半导体市场对外依存度接近90%。

随着国内新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等新兴行业的快速发展，原有功率半导体供应体系严重跟不上市场需求，导致功率器件至今仍面临严重短缺局面，特别是在新能源汽车等高端应用领域，期货交期长达一年已成常态，我国亟需重构功率半导体供应链体系。

在此背景下，以苏州锴威特半导体股份有限公司（下称“锴威特”）为代表的本土功率半导体企业加速对新兴市场布局，在原有硅基MOSFET功率器件产品体系的基础上，加快SiC基功率器件及功率IC等产品研发与投放，并取得了显著成效，为我国新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等新兴产业的发展保驾护航。

核心硬科技轻装构建丰富产品线

功率半导体作为电子装置中电能转换与电路控制的核心，受到产业链上下游的高度重视，业内已形成一批先发企业，且多以IDM模式打造从产品设计到晶圆制造、封测的完整链条；不过IDM模式对技术、资金、人才的需求极高，因此，部分后发功率半导体企业选择以Fabless为经营模式，以轻资产形式集中进行产品研发设计，掌握核心技术，借助供应链资源，快速实现向市场推出产品。

成立于2015年的锴威特正是这样一家企业，其采用Fabless经营模式，通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力，掌握了功率半导体芯片的自有核心技术，积累了丰富的设计及工艺开发经验。

在功率器件方面，锴威特已同时具备硅基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。

平面MOSFET领域，锴威特核心技术包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等，基于“高压MOSFET的少子寿命控制及工艺实现技术”研发并量产的FRMOS产品具有反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干扰的优势特性；在第三代半导体器件方面，锴威特利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。

在功率IC方面，锴威特基于晶圆代工厂0.5μm 600V SOI BCD工艺和0.18μm 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台；通过与晶圆代工厂深度合作，锴威特可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能，其多项原创性和先进性的核心技术，能有效提升产品参数一致性，增强产品可靠性。

值得注意的是，为了加速掌握核心技术，锴威特近年来一直保持较高的研发投入力度，根据公开的招股说明书注册稿显示，在2020年-2021年、2022年上半年，锴威特的研发投入分别为1388.55万元、1886.27万元、1166.63万元，占营收比重分别为10.14%、8.99%、9.78%，大幅高于同业可比上市公司。高研发投入下，锴威特逐步建立自己的护城河，截至招股说明书注册稿签署日，锴威特已获授权专利50项，集成电路布图设计专有权32项。

在一系列核心技术支持下，锴威特已成功推出MOSFET、功率IC等700余款产品。同时完成了多款功率IC所需的IP设计开发与验证，基于自主开发的IP推出的功率IC具有集成度高、可靠性高、工作频率高、工作电压范围宽、功耗低、工作温度范围宽（-55℃-125℃）等特点；SiC MOSFET产品系列覆盖650V-1700V电压段，已形成80余款产品，满足多领域的应用需求。

截至目前，锴威特仍在持续丰富其产品矩阵，力争成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。

功率IC正成业绩增长新引擎

伴随产品矩阵持续丰富，下游应用领域的持续拓展，锴威特近年业绩呈现快速增长趋势。

根据披露数据，2019年-2021年、2022年1-9月，锴威特营业收入分别为1.07亿元、1.37亿元、2.1亿元、1.75亿元；净利润也由2019年的933.81万元提升至2021年的4847.72万元，2022年1-9月已达4297.12万元，同比增长21.38%，继续呈现快速增长趋势。

其中，锴威特大部分营收来自于平面MOSFET、功率IC等核心技术产品及服务，2019年-2021年、2022年1-6月，其核心技术产品收入占比均在90%以上。

进一步分析还发现，锴威特产品结构正在发生新的变化趋势。2019年-2021年、2022年1-6月，锴威特平面MOSFET营收保持增长态势，分别为9170.34万元、1.18亿元、1.69亿元、6458.63万元，而其占主营业务收入比重分别为86.71%、88.39%、83.07%和55.35%，整体呈下降趋势。

与此同时，功率IC营收呈快速增长趋势，2019年-2021年、2022年1-6月分别为211.58万元、322.32万元、1169.49万元、2846.02万元，不仅营收规模快速增长，营收占比也在快速增长，已从2019年的2%提升至2022年上半年的24.39%，正成为锴威特营收增长的另一重要引擎。

需特别指出的是，功率IC产品营收规模大增的背后，量价齐升同步上演。功率IC产品2019年-2021年、2022年1-6月的销量和销售单价均保持增长趋势。关于功率IC产品量价齐升的原因，锴威特解释称，IC产品营收主要来自于高可靠领域客户，基于公司产品系列化的完善、优良的产品质量及服务能力，公司品牌影响力及市场认可度得到了较快提升，由此带动老客户扩大了采购额，以及实现对新客户起量，叠加市场缺货、产品型号差异等有利因素影响，带动锴威特功率IC产品量价齐升。

接下来，锴威特将加强研发投入，基于积累的IP核，在安防、智能家电、高可靠应用领域等实现功率IC产品系列化开发及规模化量产。

SiC先发优势显现，有望引领第三极

功率半导体覆盖领域广泛，除了传统硅基产品，锴威特也在积极布局SiC等第三代半导体的研发与应用。

资料显示，与传统硅基功率器件不同，SiC材料拥有耐高压（击穿场强约为硅的10倍）、耐高温（禁带宽度是硅基材料的3倍）、工作频率高（电子饱和速度是硅基材料的2~3倍，SiC功率器件可实现10倍于硅基功率器件的工作频率）等优势，以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机。

目前，新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等新兴产业快速发展，需要性能更为优越的功率半导体器件，从电转换效率看，SiC等第三代半导体无疑成为上佳之选，特别是在新能源汽车领域，已成为推动SiC规模量产的核心驱动力，截至目前已有特斯拉Model 3、比亚迪汉、蔚来ET7、小鹏G9、吉利Smart精灵#1等量产车型实现搭载，未来，随着SiC持续规模量产，成本将进一步降低，其应用领域也将由高端新能源车型向亲民车型、光伏、工业电源等领域延伸发展。

集微咨询（JW Insights）预计，到2026年，全球新能源汽车中的功率器件市场规模将达到850亿元，其中，SiC功率半导体市场规模将接近280亿元，渗透率超过30%。

中国新能源汽车细分市场SiC功率半导体市场规模

（单位：亿元，来源：集微咨询）

基于新兴行业未来发展趋势预判，锴威特自2018年下半年开始研发SiC相关功率器件，是我国较早布局SiC领域并实现相关产品供货的本土企业之一。通过对SiC器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入，锴威特SiC产品目前已实现小批量供货，覆盖业内主流电压段，后续有望凭借先发优势继续扩大市场份额。

据介绍，锴威特SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），其中，在SiC MOSFET领域，锴威特是国内为数不多具备650V-1700V电压规格产品系列设计能力的企业之一，旗下产品C2M065W030在多项关键性能指标上已与国内外竞品基本相当，部分核心指标甚至要优于国际品牌产品。SiC SBD也已形成650V-1200V电压规格的产品系列布局。

2019年-2021年、2022年1-6月，锴威特SiC功率器件分别实现收入2.35万元、38.64万元、100.5万元和237.66万元，占各期营收比重分别为0.02%、0.29%、0.49%、2.04%，有望继MOSFET和功率IC之后，成为锴威特未来新的营收增长极。

截至目前，锴威特仍在对SiC高温封装应用、SiC MOSFET光继电器以及数字电源等产品进行持续深入研究，并进一步推动第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级。锴威特表示，在SiC功率器件方面，公司将在现有设计及工艺平台基础上，围绕新能源汽车、光伏发电应用等领域，展开产品系列化研发及可靠性改善提升的研究，不断丰富产品系列，提升公司产品国产化替代的竞争优势及服务能力，推动我国新兴产业的快速发展。（校对/萨米）