8吋! 2家SiC企业公布关键进展

各位行家，端午安康。今天，“行家说”为你带来2条8吋SiC的内容服务：

●科友半导体：突破关键8吋SiC单晶量产技术，为大规模量产奠定基础。

● 天成半导体：成功研发8吋SiC单晶。

科友半导体：

实现8吋SiC量产技术突破

2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通，并进入中试线生产。

• 尺寸和厚度方面，科友的8英寸SiC晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。
• 缺陷控制方面，科友半导体8英寸晶体的微管密度＜0.1个/cm2，位错缺陷密度＜5000个/cm2。
• 生长速度方面，科友半导体8英寸SiC晶体开发出了快速生长工艺技术，长晶速率已达到170μm/h以上，长晶周期约为4-5天，单台长晶炉设备每月运转约6-7炉次。长晶工艺时长短结合设备运转次数多，进一步降低了制造成本，为大规模8英寸衬底量产奠定了基础。
• 长晶良率是8英寸碳化硅晶体低成本产业化的关键，科友半导体开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，大幅提升了长晶的稳定性、重现性。

目前，科友半导体8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，有望成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。

扫码关注英飞凌官微，即可报名

山西天成半导体：

成功研发出8吋SiC单晶

今天（6月22日），“行家说三代半”在调研中了解到，国内还有1家企业——山西天成半导体——也实现了8吋SiC单晶技术研发突破。

天成半导体透露，他们这次开发出的8吋SiC单晶直径达到202mm，各项参数指标良好。

天成半导体成立于2021年8月成立，2022年4月，天成半导体仅用半年时间就顺利完成了中试投产，已经实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产。

白皮书参编申请

《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 SiC产业关键技术进展

2.1 SiC特性及技术优势

2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 SiC外延技术分析

2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析

2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析

2.6 SiC模块技术进展及趋势分析

2.7 SiC关键设备和材料技术分析

2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析

第三章 全球SiC半导体产业竞争格局

3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段

3.2 各国/区域SiC代表厂商

3.3 SiC衬底竞争格局

3.4 SiC外延竞争格局

3.5 SiC器件/模块竞争格局

3.6 SiC关键设备/材料竞争格局

《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 GaN产业关键技术进展

2.1 GaN特性及技术优势

2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 GaN外延技术分析

2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析

2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析

2.6 GaN关键设备和材料技术分析

第四章 全球GaN半导体产业竞争格局

4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段

4.2 各国/区域GaN代表厂商

4.3 GaN衬底竞争格局

4.4 GaN外延竞争格局

4.5 GaN器件/模块竞争格局

4.6 GaN关键设备/材料竞争格局

了解更多白皮书信息，请点下方“阅读原文”。