威兆半导体发布1200V 40mohm SiC MOS单管产品

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来源：威兆半导体

5月31日，据威兆半导体官微消息，公司推出了新品——第三代半导体SiC MOS 1200V 40mohm_HCC*120R040H1，该产品封装采用TO-247和TO-247-4L，可满足不同客户的应用需求。

据悉。该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术，具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好，可靠性高等特点。产品依据国际行业通用可靠性标准进行考核，可满足于工业、汽车等应用需求。

在产品性能方面，经过威兆半导体内部详细测试评估，其各方面参数都完成设计目标，达到同行先进水平。

HCC*120R040H1的静动态参数平衡较好，比较好地兼顾了导通损耗和开关损耗，有利于控制总体损耗提高系统效率，降低器件温升；内阻高温上升比例比较小；开启、关断过程中波形良好平滑，能做到无振荡或低振荡，有利于降低动态损耗，且对EMC友好；寄生二极管反向恢复软度良好，无振荡。该产品比较适合用于有高频、高压、高效、高功率密度等需求的各类电力转换装置中。

▌与国外友商同类两颗产品C***40120、S*****40**进行比较，详情如下：

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