赛微电子子公司聚能创芯拟获2.8亿元增资

集微网消息 6月2日，赛微电子发布公告称，根据公司氮化镓（GaN）业务发展的实际情况，为增强子公司聚能创芯的资本实力，促进其业务进一步发展，公司支持聚能创芯推进股权融资事项。

聚能创芯现拟由中金启合、湖州人才基金、中金启阳、鸢飞基金、传感基金、康博电子（以上各方单称或合称“本轮投资人”）对其进行增资，其中中金启合拟出资9,000 万元，857.16 万元计入注册资本，8,142.84 万元计入资本公积；湖州人才基金拟出资1,000万元，95.24 万元计入注册资本，904.76 万元计入资本公积；中金启阳拟出资 2,000 万元，190.48 万元计入注册资本，1,809.52 万元计入资本公积；鸢飞基金拟出资 10,000 万元，952.40 万元计入注册资本，9,047.60万元计入资本公积；传感基金拟出资 5,000 万元，476.20 万元计入注册资本，4,523.80 万元计入资本公积；康博电子拟出资 1,000 万元，95.24 万元计入注册资本，904.76 万元计入资本公积。上述各方拟合计对聚能创芯出资 28,000 万元，其中 2,666.72 万元计入注册资本，25,333.28 万元计入资本公积。

赛微电子指出，本次增资完成后，聚能创芯的注册资本将由 9,524.00 万元增加至 12,190.72 万元。针对上述新增认缴注册资本，公司放弃本次增资的优先认缴出资权，聚能创芯其他股东亦均同意放弃本次增资的优先认缴出资权。而公司持有聚能创芯股权的比例由 32.02%变更为 25.02%，聚能创芯不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围。

其进一步表示，本次子公司聚能创芯进行融资，主要目的是为了增强资本实力和综合竞争力，充分利用各方优势，整合资源，从而促进聚能创芯GaN（氮化镓）外延材料与芯片设计业务的进一步发展，促进GaN上下游产业链公司的发展，符合聚能创芯的实际情况和公司在GaN领域的的长期发展布局及发展战略。公司将始终关注并重视第三代半导体产业及相关业务。公司放弃聚能创芯本次增资的优先认缴出资权，不会对公司的正常生产经营和财务状况带来不利影响，不存在损害公司和股东，特别是中小股东利益的行为。