发力新型存储，韩国想再赢一次？

前言：

本轮存储周期起点将在今年到来，在美光被审查、AI引发新需求的两大催化因素下，周期拐点或将加速到来。

不过，无视消费端疲软、上游产能或将过剩的消息，在大手笔投资方面从不手软，韩国在半导体领域似乎还有更大的野心。

作者 | 方文三

图片来源 | 网 络

韩国存储芯片数据下滑

韩国统计厅周四公布的数据显示：去年11月芯片产量同比下降15%，连续第四个月萎缩，并创下自2009年以来最大降幅。

韩国科学技术信息通信部表示：韩国今年4月存储芯片出口减幅（54.1%）大于系统芯片（22.1%）。

韩企数据研究机构CEO SCORE调查显示：随韩货出口主力芯片遇冷，韩国各大企业营业利润同比减少48.8%，为25.8985万亿韩元，从去年第三季度起连续三个季度下滑。

2023年第一季度，韩国对中国的出口比去年同期下降了近30%，对越南和日本的出口也分别减少了25.2%和10.1%。

芯片出口暴降让三星等厂商非常难受，因为存储芯片需求在下滑，叠加国产存储强大的价格战。

韩国企业五年芯片投资计划

今年5月，韩国发布了芯片发展十年蓝图，旨在日益激烈的全球竞争中巩固该国在半导体领域的领先地位。

韩国科学技术信息通信部在这一半导体未来技术路线图中，提出未来10年确保在半导体存储器和晶圆代工方面实现超级差距，在系统半导体领域拉开新差距的目标。

科技部承诺支持半导体行业生产更快、更节能、更大容量的芯片，以保持其在已经领先领域（如存储芯片）的全球主导地位，并在先进逻辑芯片方面获得竞争优势。

这次的规划路线图是对韩国政府4月宣布的芯片战略的细化。

当时，政府表示将投资5635亿韩元（4.25亿美元）用于芯片产业的研发，以支持该领域的人才培养、基础设施建设和技术开发。

该路线图也是近期与美国、日本在芯片、显示器和电池领域达成的合作协议的[后续措施]。

政府将根据路线图，对未来的半导体技术政策和商业方向进行战略性的研究。

虽然芯片行业已经达到了一定的成熟度，但韩国科技部预测市场规模将在未来十年翻一倍。

三星电子宣布巨额投资计划：未来五年将在芯片、生物科技等领域投资450万亿韩元，其中80%的资金将用于韩国本土的技术研发和人才培养。

SK集团表示，未来五年内计划将投资总额的一半投入芯片产业，投资规模约142.2万亿韩元。

在存储领域继续进击，发力新型存储

总之，在传统存储领域，存储厂商们还需要不断在创新材料、工艺、结构和产品来挑战DRAM和NAND技术的扩展限制，才能继续维持住其在存储领域的领先地位。

三星和SK海力士作为韩国的两大关键性支柱，都投入了大量资金来研究RRAM、PCM、MRAM等新型的内存技术。

三星电子准备开发世界上第一个 3D DRAM，并正在加速 3D DRAM 的研发。

去年11月，三星宣布一开始量产其大概为236层的3D NAND存储器，这是其第八代V-NAND。

在ISSCC 2023的会议上，提交了一篇论文，展示了他们开发出300层以上的3D NAND技术，可以以194GBps的速度读取数据。

为了进一步扩展DRAM，从而降低成本和功耗，并提高速度，单片3D DRAM技术成为存储巨头们正在探索的技术。

在新型存储领域，三星正在追逐MRAM。

三星正在研发有关28纳米嵌入式磁性随机存取存储器 (MRAM) 技术的信息。

该器件的写入能量仅为 25 pJ/bit，有效功率要求为 14mW（读取）和 27mW（写入），数据速率为54MB/s。

将MTJ缩小到 14 纳米 FinFET 节点后，面积缩小提高了 33%，读取时间加快了2.6倍。

三星正在将 MRAM 视为 AI 和其他需要大量数据的应用程序的低泄漏工作存储器。

三星声称开发的这个产品是有史以来最小、最节能的非易失性随机存取存储器。

通过将MRAM引入内存计算领域，这项工作扩展了下一代低功耗人工智能芯片技术的前沿。

而SK海力士则青睐于铁电存储器（FeRAM）和相变存储器（PCM），正在通过探索堆叠高度缩放、新材料和新的3D NAND单元架构来。

他们已经成功展示了16级基于RRAM的突触单元平台，这些平台具有良好的设置/重置特性，并能嵌入到 CMOS 技术中。

结尾：

尽管时不时有半导体产能过剩的声音，但行业内具指标性的原厂在扩大投资的方向依旧一路狂奔，尤其韩国。

三星、SK海力士等韩企持续加大投资很重要的一方面是为了巩固其在芯片领域的领导地位。

原文标题:AI芯天下丨分析丨发力新型存储，韩国想再赢一次？