MOS管的体二极管来源与作用

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来源： Problem Based Learning

从下图(1)可以看出，MOS中的氧化物O指的是二氧化硅SiO2，SiO2不导电，所以驱动极G基本不走电流，因此MOS功耗比较低，是电压型驱动器件。

从(1)也可以看出，MOS除了D、G、S三个极之外，还有一个Sub极，Sub和S极短接，因此(2)MOS的电路符号中，会将MOS内部指向沟道N沟道的箭头和S极连接在一起。

从(3)中可以看到，从D极的N型区->中间P型区->Sub极->S极，刚好构成了一个二极管结构，并且处于反偏状态，这就是MOS符号中并联了一个二极管的原因。

从上面的分析可以知道，这个二极管是MOS结构和工艺使然的，说它是寄生二极管其实不太合适，体二极管（body-diode）的称呼还是相对准确一些。

IC芯片设计内部，是把B极接到电压最低或者最高，并非一定是S极。如果B极悬空，那么S极和D极之间就没有这个二极管了。

（1）MOSFET 的寄生二极管，作用是防止 VDD 过压的情况下，烧坏 MOS 管，因为在过压对 MOS 管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免 MOS 管被烧坏。

（2）防止 MOS 管的源极和漏极反接时烧坏 MOS 管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。（如在感性负载（马达继电器）应用中，主要用来保护回路。）

1. http://www.kiaic.com/article/detail/2864.html
2. https://zhuanlan.zhihu.com/p/392582490
3. https://www.dianyuan.com/article/45723.html
4. http://www.kiaic.com/article/detail/2266.html

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