Transphorm与美国国家安全技术加速机构签订协议 用于开发GaN外延片

集微网消息，5月17日， Transphorm, Inc.与美国国家安全技术加速机构（NSTXL）签订了《履约人协议》。据此，公司已同意根据工作声明开发和制造先进的GaN外延片材料，协议包含了NSTXL与美国政府之间的一项协议。

根据该协议，公司最多可从NSTXL获得1520万美元的资金，根据项目阶段的实现情况分期支付。自协定执行之日起，该协定的资金数额为750万美元，是逐步供资的。该协定的初始到期日为2024年12月9日，如果未来的供资承诺总额可能高达770万美元，则可延长该期限。

据了解，美国国家安全技术加速机构（NSTXL）是负责加快美军国内外作战任务及军事设施相关创新技术方案的发现、开发和部署，旨在利用商业最佳实践来帮助加速开发过程，并将可靠、安全的最先进微电子设计和制造应用于国家安全和国防应用。（校对/胡思琪）