抢抓第三代半导体市场机遇，Aixtron投资1亿欧元扩建研发中心

集微网消息，据外媒报道，碳化硅外延设备巨头Aixtron日前宣布，公司将投资约1亿欧元，在其位于德国亚琛附近的总部建设一个新的创新中心。

公告称，新大楼拥有1000平米的洁净室空间，将为已经在准备中的下一代产品以及进一步的产品开发创造更多的研发能力。

公司首席执行官Felix Grawert表示：“通过我们的产品，我们应对数字化、电动汽车和能源效率的大趋势，并且正在经历强劲且稳定增长的需求，准确满足客户需求的技术创新和产品开发是我们成功的关键。我们充满活力的环境为我们提供了进一步的发展机会，这个项目将使我们能够为进一步的产品开发和未来的增长奠定基础。”

公司方面还透露，其新一代G10系统预计将贡献超过40%的年收入，碳化硅材料系统（G10-SiC）新设备正式推出不久，就已经产生了很高的订单量。针对砷化镓/磷化铟材料体系（G10-AsP）的新解决方案已于2023年初推出，目前已经看到强劲的需求，可适应8英寸规格micro LED和光子元件工艺，今年晚些时候还将推出用于氮化镓 (GaN) 的新G10系统。

Aixtron方面表示，由于第三代半导体的材料特性，它们可以显著减少全球二氧化碳排放量，并帮助电动汽车取得突破。