丰田通商与关西学院合作 减少SiC晶圆缺陷

图为使用SiC功率半导体的丰田Lexus RZ车系。法新社

丰田（Toyota）电动车（EV）战略中，不可或缺的次时代功率半导体材料碳化矽（SiC），目前仍有生产良率问题，因此同集团的丰田通商（Toyota Tsusho）宣布，与日本关西学院大学（Kwansei Gakuin University）合作，设立解决SiC良率问题的新企业QureDA Research。

根据双方公布数据，QureDA Research位于关西学院大学在日本兵库县三田市校区内，丰田通商与关西学院大学出资比例均为50%，社长由丰田通商濑川恭平担任，CEO则是关西学院大学教授金子忠昭。

制作SiC功率半导体与添加杂质的过程，容易出现瑕疵，影响SiC功率半导体量产能力，随EV市场成长，既有技术的产能及生产成本将难以满足未来需求；而金子忠昭已研发出新的加工技术，在摄氏1,600~2,100度环境下，减少SiC基板表层缺陷的技术，成为解决SiC功率半导体良率问题的方案。

丰田通商与关西学院大学的合作，为金子忠昭教授的技术找到适当的应用市场，QureDA Research将以金子忠昭的专利发明，进行高良率SiC功率半导体制程与设备研发，新制程SiC功率半导体出货时间设定在2025年，接下来将以专利技术销售为主要营利来源。

目前EV的续航力与充电耗时问题，一方面是电池容量、材料、成本问题，另一方面则是电路与马达的效能问题，SiC功率半导体能在更高电力效率的条件下运作，2010年代日厂便已用在电车上，获得良好成绩。

但在2030年前全球EV将突破1,000万辆大关，SiC功率半导体不管产品种类、产量、成本，均有不足之处，还只能用在少量高价的高端EV。

丰田通商长年从事汽车半导体事业，因此对解决SiC功率半导体量产问题研究内容深兴趣，才促成这次合作。

责任编辑：朱原弘