9亿SiC项目启动，1炉生长2个晶锭？

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近日，山西省一碳化硅项目宣布开工，将要打造第三代半导体及复合新材料生产基地。

据”行家说三代半“不完全统计，2023年以来还有11个SiC项目动工，详情请往下看。

立晶投资9亿元

建设600台SiC衬底项目

据悉，立晶碳化硅项目由平鲁区立航投资发展有限公司和山东国晶电子科技有限公司共同投资建设，目标打造第三代半导体及复合新材料生产基地。立晶半导体项目负责人刘少晗表示，该项目总投资9亿元，计划投资600台6英寸碳化硅长晶炉。

项目投资方之一的国晶电子成立于2018年，从事高纯碳化硅微粉生产、碳化硅单晶炉的研发制造。2018年5月，国晶电子投资3亿元建设一条5N高纯碳化硅微粉生产线和6英寸碳化硅单晶生长研发中心，项目达产后可年产5N高纯碳化硅微粉100吨、6英寸双坩埚碳化硅单晶炉200台。

据介绍，国晶电子的独特技术是——1台单晶炉可同时生长2个碳化硅晶体。

企查查显示，立晶半导体成立于2022年11月，由国晶韵承（上海）科技有限公司与朔州市平鲁区立航投资发展有限公司共同出资成立，持股比例分别为56%和44%。公司主营业务包括半导体器件专用设备制造、销售。

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合计超150亿元

盘点2023年SiC开工项目

●泰科天润：北京SiC项目开工奠基

3月27日，泰科天润的北京总部项目举行了开工奠基仪式。该项目计划建设办公研发总部基地及 6-8 英寸碳化硅功率器件生产基地。

● 合盛硅业：上海SiC项目开工

3月27日，合盛硅业上海研发中心在南翔动工，预计全部建成后将着力研发碳化硅长晶技术和有机硅材料高端产品；该项目总投资为2.5亿元，计划2024年底竣工，达产后年产值约为7.1亿元。

● 通科半导体：封测项目动工

3月24日，佛山市三水区云东海街道举行了2023年重点项目签约暨动竣工仪式，其中包括通科半导体芯片封装测试产业项目奠基动工。

该项目投资额达10.59亿元，主要从事半导体分立器件研发及制造，生产全系列功率器件与集成电路，还将专注于功率半导体器件与集成电路、MCU、车规级碳化硅、GaN等SiP封装高端产品领域。

● 天域：120万片项目动工

3月17日，总投资达80亿元的天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目在东莞市动工，建成后将用于生产6英寸、8英寸碳化硅外延晶片，预计年产能120万片。

● 山东营口：SiC衬底项目3月开工

3月3日，山东省东营市河口区人民政府与高金富恒集团在广州举行了“碳化硅半导体产业基地项目”签约仪式，项目总投资25亿元，将年产6英寸碳化硅导电片36万片，项目在3月开工建设。

● 芯动半导体：模组项目奠基

2月26日，长城汽车控股子公司芯动半导体建设的“第三代半导体模组封测项目”奠基典礼在无锡举行，项目总投资8亿元，规划车规级模组年产能为120万套。

● 同光：粉料项目开工

2月22日，河北同光股份碳化硅合成粉料生产线建设项目举行集中开工仪式，该项目总投资7.4亿元，主要产品为碳化硅多晶粉料，项目投产后将实现年产165吨碳化硅合成粉料的产能。

● 连城凯克斯：装备项目奠基

2月10日，连城凯克斯半导体高端装备研发制造项目启动奠基，此次奠基开工的为二期项目，总投资10亿元，主要建设碳化硅设备、单晶炉设备、光伏组件设备、ALD设备在内的研发组装一体化生产线。

● 昕感科技：器件项目开工

2月10日，昕感科技的碳化硅项目举行开工仪式，该项目总投资20亿元，一期投资10亿元，将建设碳化硅功率器件芯片及模组生产线。预计全部投产后年产值可达到12亿元，亩均税收约61万元。

● 萃锦半导体：器件项目开工

1月28日，浙江萃锦半导体有限公司年产120万只中高功率半导体器件产品项目开工，该项目总投资6.5亿元，拟建设半导体器件生产厂房，产品涉及SiC器件，主要应用于新能源汽车、光伏、储能、风电等领域。

● 奕斯伟：部件项目开工

1月6日，重庆两江新区2023年第一批重大产业项目开工，其中包括北京奕斯伟科技集团投资打造的奕斯伟硅及碳化硅部件项目。该项目计划建设一座产能为3万个/月的硅及碳化硅部件生产工厂。

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