2023（春季）第三代半导体产业峰会在深圳举办，15位嘉宾出席发表演讲
来源:充电头网发布时间:2023-04-065919浏览
询问 AI3月15日，由充电头网主办的2023（春季）全球第三代半导体产业峰会在深圳福田会展中心成功举办。本次展会汇集了40多家第三代半导体厂商参展，云集了行业人士进行行业动态介绍和技术分享。
全球第三代半导体产业峰会，由充电头网发起，自2021年在深圳举办首场大会，已经连续举办多届。大会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区，每年吸引来自全球第三代半导体产业的行业学者、专家、从业人员数千人出席，是全球颇具影响的专业能源半导体大会。
在全球第三代半导体产业峰会上倡导发起的世界碳化硅日（6月14日）、世界氮化镓日（7月31日），已获得业界关注，成为全球第三代半导体行业每年两大最重要的纪念日。
全球第三代半导体产业峰会，吸引着数千家上下游产业链企业参与，共同推动第三代半导体行业融合。作为功率器件的革命性突破技术，第三代半导体是与新能源息息相关的行业，升能源利用率，助力碳达峰、碳中和早日实现。
对于嘉宾的分享与讨论，现场观众报以热情与期待。论坛演讲现场座无虚席，观众们在认真听取嘉宾的PPT讲解，并拍照记录。
本次峰会充电头网邀请到了来自第三代半导体产业技术创新战略联盟、捷捷微电、能华半导体、扬杰科技、聚能创芯、英诺赛科、英嘉通、艾默生必能信、镓未来、Transphorm、纳微半导体、美浦森半导体、英飞凌、氮矽科技、時科的十五位大咖出席进行演讲，分享行业发展现状与新技术，推动第三代半导体行业发展。
以下是本次峰会演讲的回顾。
第三代半导体产业技术创新战略联盟 副秘书长 赵静
《第三代半导体产业及技术进展》
赵静女士，现任第三代半导体产业技术创新战略联盟联盟副秘书长，副研究员；硕士毕业于北京大学城市与环境学院。长期从事科技管理、产业发展、区域经济方面的工作与研究。牵头完成多个省部级、市区级研究课题或规划，围绕集成电路新材料-宽禁带半导体领域产业发展，参与过多项战略研究与咨询工作。
在本次展会上赵静女士发表了《第三代半导体产业及技术进展》主题演讲。
赵静女士在第三代半导体产业技术创新战略联盟在多年研究跟踪和数据积累的基础上，从国内外政策环境、市场、投融资、标准制定、技术进展、产品分析、生产情况、产业链及重点企业等角度，对2022年以SiC和GaN为主的第三代半导体产业、技术发展情况进行了分析和总结。
江苏捷捷微电子股份有限公司 BD副总 于玮诏
《一个万能的接口，下一步呢？》
于玮诏先生现任捷捷微电（上海）科技有限公司 BD副总，助力开拓海外市场及孵化新产品线，并统筹新产品发布、标准化制定、应用研究等。先后在美国国家半导体，NEC电子、宏基实验室、飞利浦半导体、瑞萨等知名企业担任重要职位。他及团队与微软和康柏电脑合作编写并发布USB-OHCI，得到苹果及业界采用。于2002年3月在JEDEC成立JC-61委员会 (WING)，并于同年担任802.11 OpenHCI行业标准小组主席。在达尓电子，先后任Power ICs业务部门经理及分立器件业务拓展总监。
捷捷微电BD副总于玮诏先生在本次展会上发表了《一个万能的接口，下一步呢？》主题演讲。
于玮诏先生从三个方面阐述了未来USB的发展，以下是主要内容介绍：
1. Back to the Future - Many Busses in 1990s PCs
-The Roots of USB since 1990
-The Humble Beginning of USB
2. Fast Forward to Mar2019 -Beginning of USB4TM Version 1.0
What Can USB4 Version 2.0 Facilitate
- Modular Computing
What Can USB PD 3.1 Facilitate
- A Whole New Digital Lifestyle
3. Who is JieJie Microelectronics
-Our Ambition
-Our Core Competence
江苏能华微电子科技发展有限公司 产品应用经理 李继华
《CoreGaN：立足消费，走向工业》
李继华先生一直从事半导体功率器件应用，在领域深耕了十年以上。先后在新能源行业、储能行业负责过光伏和储能逆变产品的研发，在GaN企业负责器件定义和产品应用。李继华先生在MOSFET和GaN功率器件的产品参数性能、产品应用开发、器件评估测试、器件建模和仿真等方面具有丰富的经验。
江苏能华微电子科技发展有限公司产品应用经理李继华先生在本次展会上发表了《CoreGaN：立足消费，走向工业》主题演讲。
李继华先生的演讲主要介绍了由于氮化镓功率器件相对于传统MOSFET巨大的性能优势，其在消费电子行业已经取得迅猛的发展，众多GaN企业也在观察氮化镓功率器件的下一战场将会是哪里。
能华CoreGaN氮化镓产品在各项性能参数上远远超过CoolMOS，目前已经在消费领域有很多的客户应用。并且相对于众多氮化镓友商，能华开拓性的推出一系列独具特色的CoreGaN产品。能华的CoreGaN产品能够更好的适应工业领域应用，让用户在开发各类工业级电源产品时能够放心的使用氮化镓产品。
扬州扬杰电子科技股份有限公司 GaN研发总监 徐峰
《快充时代的GaN功率器件产业化》
徐峰先生在扬杰科技先后从事AE、FAE、Product Marketing等岗位；目前主要负责HEMT产品经理工作，负责氮化镓功率器件产品路线的规划、产品定义、产品实现、市场推广以及产品应用支持等。
扬州扬杰电子科技股份有限公司 GaN研发总监 徐峰先生在本次展会上发表了《快充时代的GaN功率器件产业化》。
徐峰先生演讲的主要内容是随着第三代半导体材料及器件性能的不断提升，消费类电子市场迎来蓬勃发展，市场规模正在逐步扩大。在一线手机厂商，以及快充配件企业的共同推动下，氮化镓（GaN）快充器件迅速进入发展快车道，市场占有率快速增加。
GaN器件作为功率转换应用不可或缺的重要分支，头部企业已提前重点布局，作为行业发展风向标，为未来市场注入强大信心。GaN功率开关技术正处于关键拐点，从消费电子出发，逐步覆盖到移动电源适配器、5G通信、数据中心、新能源汽车、LiDAR以及光伏逆变器等应用市场。
扬杰科技近年来重点布局，针对移动电源快充应用，稳步推进GaN功率器件产业化，研制出增强型HEMT系列产品，在传统整流桥、二极管、ESD等器件的基础上为快充市场带来更多产品系列。
青岛聚能创芯微电子有限公司 副总经理 李成
《面向功率应用的GaN材料和器件技术》
李成先生长期从事化合物相关半导体器件设计、生产、测试等方面的研究工作，具备7年以上的氮化镓器件研发经验，在氮化镓器件和应用领域拥有很深的造诣。现任青岛聚能创芯微电子有限公司副总经理，负责氮化镓器件研发和生产工作，成功地推动了氮化镓功率器件的量产及在各个领域的应用。
青岛聚能创芯微电子有限公司 副总经理 李成先生在本次展会上发表了《面向功率应用的GaN材料和器件技术》主题演讲。
李成先生主要讲述了随着人工智能、5G通讯、新能源汽车等技术的发展，对智能终端快速充电提出了更高要求。需要采用新型半导体器件以提升快充效率、减小快充体积。
n 作为第三代半导体，GaN器件得益于材料优势，在速度、效率、耐高温等方面均优于传统硅器件，在功率系统领域具有广泛的应用前景。n 在此背景下，北京赛微电子着手布局了聚能晶源与聚能创芯项目，开展GaN材料与器件产业化工作。
基于两项目实施，可实现GaN材料、器件与应用的技术突破，为5G通讯、智能终端、 大数据、自动驾驶等领域，提供新型功率器件产品与技术解决方案。
英诺赛科 产品应用总监 邹艳波
《InnoGaN助力能源电子发展》
邹艳波先生，在氮化镓高频高密电源开发应用领域具有丰富经验，原任职于ICT领域知名企业，从事手机、AI智能云服务器和5G通信设备供电方案的前沿技术研究和开发。现任英诺赛科产品应用总监，负责氮化镓器件应用技术的研发与规划，构建InnoGaN产品与解决方案在快充、大数据中心、人工智能、新能源汽车等战略新兴领域的竞争力。
英诺赛科 产品应用总监 邹艳波先生在本次展会上发表了《InnoGaN助力能源电子发展》主题演讲。
邹艳波先生主要讲述了在数字化与碳中和时代背景下，消费电子、数据中心、光伏、储能、新能源车等行业快速发展，产品技术持续升级，推动着能源电子产业的发展和技术进步。
消费电子我们追求更便携，更安全的用电，数字化时代的发展，需要大量的数据中心，需要更低碳的数据中心供电系统，面对能源危机，需要更高效的光伏发电和储能系统，更好的利用新能源，这些因素均推动能源电子的快速发展，其朝着更高的频率，低碳，集成化的方向发展。
作为第三代半导体的氮化镓因其卓越的材料特性，使得具备开关速度快，损耗小，能量密度高的特点，是支撑能源电子发展的理想器件，助力能源电子高频，低碳，集成化的发展趋势。
苏州英嘉通半导体有限公司 功率应用副总监 刘亮
《氮化镓功率器件在大功率电源的应用介绍》
刘亮先生现任苏州英嘉通半导体有限公司 功率应用副总监 毕业于长江大学自动化专业；8年开关电源设计以及应用相关经验,曾负责多种不同功率和拓扑的开关电源产品设计到量产，相关经验丰富。
苏州英嘉通半导体有限公司 功率应用副总监 刘亮先生在本次展会上发表了《氮化镓功率器件在大功率电源的应用介绍》主题演讲。
刘亮先生主要介绍了英嘉通作为国内领先的氮化镓功率器件供应商，自主研发了多款高压氮化镓功率器件，陆续推出多款能够pin-to-pin原位替代传统硅MOS的氮化镓产品。英嘉通会不断前行拓展氮化镓功率器件的应用领域，使得氮化镓能更多的渗透到传统开关电源中。
必能信超声（上海）有限公司 功率应用总监 丁俊
《塑料超声焊接解决方案 - 应用于小型电子产品外壳组装》
丁俊先生是艾默生必能信超声（上海）有限公司, 亚洲超声产品主管，资深电子行业专业人士，从事超声波塑料焊接行业15年以上，专注于电子行业应用发展和业务拓展，为包括消费电子、汽车电子等业内客户提供有价值的可靠焊接解决方案。
必能信超声（上海）有限公司 功率应用总监 丁俊先生在本次展会上发表了《塑料超声焊接解决方案 - 应用于小型电子产品外壳组装》主题演讲。
丁俊先生主要介绍了小型电子产品的组装是将各组成部分包含内部功能器件支撑结构进行装配，目前主要方法是超声波焊接，超声波焊接的主要优点有，制造成本低，生产周期短，以及生产效率高。
超声波塑料焊接作为新技术广泛应用于电子产品组装，针对小型电子产品的特点，通过对关键焊接工艺进行优化和参数调整，实现完美的组装工艺。本篇主要通过对超声波塑料焊接的原理介绍和电子行业的成功案例，分析阐述其实现方法设计技巧与应用心得，分享新工艺和新方法。
珠海镓未来 市场经理 冯竺霖
《氮化镓全系列封装助力高效电源解决方案》
冯竺霖先生就任珠海镓未来市场部经理，负责GaN功率器件的应用推广，推动Cascode GaN器件在国内中大功率段的多应用领域突破。
珠海镓未来市场经理冯竺霖先生在本次展会上发表了《氮化镓全系列封装助力高效电源解决方案》主题演讲。
冯竺霖先生主的演讲主要介绍了珠海镓未来科技致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。其产品独特的Cascode结构结合了硅器件的易用性（兼容Si MOSFET驱动）、可靠性和氮化镓器件的高频率高效率的特点，最高可以实现万瓦的高功率密度电源解决方案。
目前珠海镓未来推出了GaN全系列封装产品线。除了PQFN、DFN、TO-252等常见贴片封装外。镓未来还能提供TO-220、TO-247-3、TO-247-4等插件封装，镓未来目前的全系列封装拥有强壮的抗干扰能力和简易的驱动方式，兼容E-moed GaN以及传统Si-Mos驱动。可以帮忙客户快速实现从30W到10kW的高效率氮化镓电源解决方案，助力国家碳中和目标的达成。
此次展会，镓未来带来了33W~3.6KW的功率段的量产电源应用，应用领域从PD快充适配器、电动工具充电器、LED驱动电源、储能双向逆变器、电池化成电源、ICT服务器电源、算力电源、车载双向DC-DC等。
Transphorm Inc. 亚太区销售副总裁 严启南
《Leading the GaN Revolution》
严启南毕业于香港中文大学物理系。从事功率半导体生产、销售三十多年。专业第三代半导体应用及推广。现职Transphorm亚太区销售副总裁。
Transphorm 亚太区销售副总裁 严启南先生在本次展会上发表了《Leading the GaN Revolution》主题演讲。
严启南先生演讲的重点内容为：
Ｅmode GaN 与D mode GaN 特性异同和优劣
E/D mode GaN 应用上的区別
高效低成本快充方案， 包括：
65W 300Khz 93.2%@90V AC
140W PD3.1 Eff: 93.11%@90V AC
240W PD3.0 Eff: 93.5%@90V AC
330W TTPPFC +LLC Eff:94.48%@90V AC
纳微半导体 高级技术市场经理 Reyn Zhan詹仁雄
《纳微半导体：掀起第三代半导体的“芯”旋风》
詹仁雄先生毕业于浙江大学电气工程学院电力电子专业硕士研究生，毕业后在多家欧美知名半导体公司就职。在加入纳微半导体前，先后在仙童/安森美、戴乐格工作。在纳微半导体担任高级技术市场经理一职，主要负责产品定义和市场营销。
纳微半导体高级技术市场经理Reyn Zhan詹仁雄先生在本次展会上发表了《纳微半导体：掀起第三代半导体的“芯”旋风》主题演讲。
Reyn Zhan詹仁雄先生的演讲带领观众走近纳微半导体。在过去一年里，纳微半导体先后收购了专注碳化硅，数字隔离器和硅控制器三家公司。
截止今日，纳微半导体的氮化镓芯片累计出货量已经超过七千六百万片。现今的纳微半导体为客户提供了更为丰富可靠和高效的第三代半导体产品，可涵盖的十瓦到兆瓦级的市场领域。在未来，纳微半导体可以为客户提供集成度更高的解决方案，为氮化镓创造了更为广阔的市场前景。
同时Reyn Zhan詹仁雄先生还介绍了纳微半导体氮化镓功率IC和合封产品的完整解决方案，并一一介绍其主要特性和系统可靠性保障。
深圳市美浦森半导体有限公司 技术经理 郑晨晨
《高压超级结及碳化硅材料特性并在PFC，LLC中的应用》
郑晨晨在开关电源，功率半导体相关行业有16年工作经验，熟悉各种AC-DC，DC-DC开关变换拓扑，MOS，SIC等应用设计。现在负责美浦森半导体技术支持工作。
美浦森 技术经理 郑晨晨先生在本次展会上发表了《高压超级结及碳化硅材料特性并在PFC，LLC中的应用》主题演讲。
郑晨晨先生主要介绍了美浦森半导体在高压功率器件领域，主要布局于第三代半导体碳化硅功率器件，以及高压超级结产品。本文主要介绍两者的产品特性，以及在实际应用的产品选型。
英飞凌科技（中国）有限公司 大中华区电源与传感系统技术市场部总监 钱家法
《英飞凌发布业界首款PFC+HFB二合一控制器XDPS2221》
钱家法，资深电源专家，现担任英飞凌大中华区电源与传感系统技术市场部总监。曾在业界著名电源厂家从事电源研发多年，后在功率半导体与电源管理芯片行业深耕十余年，熟悉电源行业发展现状与趋势；长期领导技术应用与支持团队进行新技术应用、转化和方案推广。
英飞凌 大中华区电源与传感系统技术市场部总监 钱家法先生在本次展会上发表了《英飞凌发布业界首款PFC+HFB二合一控制器XDPS2221》。
英飞凌 大中华区电源与传感系统技术市场部总监 钱家法先生在本次展会上发表了《英飞凌发布业界首款PFC+HFB二合一控制器XDPS2221》。
钱家法先生此次演讲介绍了英飞凌推出的二合一PFC+HFB控制器和英飞凌用于PD快充的氮化镓和MOS器件。
最后还提供了《XDPS2221 PFC+HFB二合一控制器Datasheet》，《HFB混合反激式转换器XDPS2201设计（中文版）》，《采用XDPS2221DE 140W USB-PD演示版》，《英飞凌用于充电解决方案的半导体产品（中文版）》四个文档下载。
成都氮矽科技有限公司 GaN HEMT器件设计总监 朱仁强
《 氮化镓功率器件发展现状与应用》
朱仁强博士现担任氮矽科技GaN HEMT器件设计总监。朱仁强博士毕业于香港科技大学，并于香港科技大学从事博士后研究，师从香港科技大学首席教授，IEEE Fellow， Kei May Lau教授。拥有超过五年功率氮化镓器件研发经验。作为主要研究人员完成多个香港创新与科技局研究项目。在国际知名期刊和会议发表论文十余篇。申请发明专利三项。
氮矽科技 GaN HEMT器件设计总监 朱仁强先生在本次展会上发表了《 氮化镓功率器件发展现状与应用》主题演讲。
朱仁强先生的演讲主要介绍了氮化镓作为重要的第三代半导体材料之一，具有禁带宽度大，击穿电压高，损耗低，高频特性优等特点，在功率器件领域已占据重要地位。传统Si功率器件普遍采用垂直结构，而GaN由于GaN衬底成本高昂的限制，主要采用基于硅衬底的横向HEMT结构。
在技术路线上，分为D-mode HEMT 和 E-mode HEMT两大流派。D-mode HEMT路线将一颗D-mode HEMT与一颗LV Si MOSFET采用Cascode方式相连，代表公司有Transphorm, PI，镓未来等。E-mode HEMT路线则只使用一颗E-Mode HEMT晶体管（常使用p-GaN gate方式实现），代表公司有GaN system, Navitas, 英诺赛科，氮矽科技等。
快充领域作为当前功率氮化镓的最主要的应用领域之一，在未来数年仍具有广阔的市场空间。除了快充市场外，功率氮化镓在家电、电源适配器、数据中心、新能源汽车、锂电池等领域同样具有巨大的潜在应用市场。
氮矽科技作为一家专注功率氮化镓功率器件及驱动器研发和销售的公司，针对以上应用领域，已推出多款产品，包含650V （80mΩ ~ 400mΩ）氮化镓晶体管，多款氮化镓专用单/双通道驱动，及多款氮化镓集成驱动产品。同时，氮矽科技已在快充、电源适配器、TV电源等领域推出多款应用解决方案。
广东時科微实业有限公司 技术工程师 何沛雄
《SiC应用技术分享》
時科，源自台湾，是全球知名的半导体分立元器件厂商之一，主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件，为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。何沛雄，广东时科微实业有限公司工程师，具有丰富的半导体行业经验。
時科 技术工程师 何沛雄先生在本次展会上发表了《SiC应用技术分享》主题演讲。
何沛雄先生主的演讲主要介绍了SiC肖特基二极管应用于一些具有临界效率的电力电子器件中。
与传统硅相比，碳化硅具有以下优点：碳化硅的间隙宽度Eg几乎是硅的三倍，约为3.26eV，而硅的间隙宽度Eg为1.12eV，因此碳化硅的反向电流低得多；時科推出SiC肖特基，更好的服务市场，产品可广泛应用于转换器、电焊机、逆变器、工业电源、安防电源、TV、医疗电源。
圆桌论坛
这次的圆桌论坛主要围绕下面的五个问题展开讨论：
1、人们经常想象的科技未来是高楼大厦，飞行载具满天飞。如今第三代半导体正从快充领域慢慢向新能源车、数据中心、储能、太阳能等各方面发展，未来由此构建的产业会是一个怎样的景象？
2、目前第三代半导体已经在新能源，快充，储能等方面得到了大量应用，那么还可以继续开发哪些潜在应用？
3、光伏逆变器被设计于户外应用，被动散热，为了降低温升，都会选择较大的表面积，体积也相对较大。目前来看，较大的体积和较低的功率密度，影响了整体成本。若将第三代半导体器件，引入到光伏及其相关新能源应用，会带来哪些优势？
4、现在高压氮化镓器件的使用场合仍在不断拓展，未来会遇到哪些可以预见的问题，需要全行业来一起解决？
5、对于快充市场来说，氮化镓三个字意味着体积小，高效率，已经形成了显著的广告效应，那么对应到碳化硅的应用上来，能够在哪些市场带给消费者明显的感知？
各位嘉宾也针对提出的各个问题展开了专业上的友好的交流，各抒己见，引起了台下的阵阵掌声以及观众的驻足观看。
充电头网总结
近些年来，以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料在在新能源、光伏、储能、大功率、消费电子等诸多领域大显身手，在追求更大功率、 更小体积、更高电源效率、更低的系统成本的趋势下，第三代半导体逐渐展现其独有的优势，并随着全球双碳产业的发展蓬勃发展。
本次2023（春季）2023（春季）全球第三代半导体产业峰会邀请众多大咖进行分享，让消费者更好地深入了解行业发展态势，亦是让上下游厂商加入进来推动市场的发展。
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