三星龙仁厂串连半导体园区群，也开启了李在熔新时代

华城园区的兴建，带动三星存储器事业快速发展。三星

三星电子（Samsung Electronics）继现有的韩国器兴、华城和平泽园区之后，将于龙仁市兴建尖端系统半导体生产据点，形成「三星半导体超级聚落」。

综合韩媒每日经济、Theelec报导，三星日前宣布，将于韩国政府日前发表的京畿道龙仁市「先进系统半导体产业聚落」建设计划，投入300万亿韩元（约2,250亿美元），在2042年以前兴建5条尖端半导体产线。

龙仁半导体聚落完工后，有望串连器兴、华城、平泽、利川等现有主要业者的半导体生产据点，及位于板桥的材料、零组件、设备企业、IC设计业者，形成全球最大规模的半导体聚落。其中，三星在器兴、华城、平泽等皆设有半导体园区。

细看各地区的三星半导体产线，器兴园区于1983年动工，1984年1号产线竣工，并于1988年完成4、5号产线，为三星半导体事业的开端。目前三星主要于6号产线及S1产线投入晶圆代工，并于器兴园区建设新一代半导体研发中心，计划2025年投入营运。

于1990年代中期开始兴建的华城园区，为让三星成为全球存储器龙头的重要推手，目前除了主要产品DRAM和NAND Flash，也引进极紫外光（EUV）专用产线VI。华城12号产线主要生产NAND Flash，13、15、16、17号产线主要生产DRAM，并由S3、S4产线负责晶圆代工。

平泽园区则是三星最先进半导体的生产据点，总占地面积达289万平方米，目前营运工厂包含P1、P2、P3产线，以及EUV专用V2产线。P1厂负责生产最先进的DRAM和NAND Flash，P2厂则为复合产线，可生产EUV DRAM、第七及第八代NAND Flash、5纳米及以下晶圆代工，P3厂已于2022年下半开始营运。此外，P4厂计划2024年上半稼动，P5及P6厂尚在建筑施工准备阶段。

业界指出，随着三星于龙仁兴建系统半导体产线，将完成连结器兴、华城、平泽到龙仁的三星半导体聚落。此外对于现任三星而言，龙仁园区将是会长李在熔上任后主导的第一项大型半导体产线投资计划，带有继李秉喆（器兴）、李健熙（华城、平泽）后，过渡到李在熔（龙仁）新时代的象征意义。

业界预期，三星以系统半导体为中心建设龙仁园区，将有助扩大存储器领域的领先优势，并强化晶圆代工事业的竞争力。随着半导体聚落与周遭IC设计、半导体材料、零组件、设备业者带来加乘效应，将能期待韩国半导体生态系的快速发展。

责任编辑：陈至娴