武汉东湖高新区：光迅科技高端光电子器件产业基地预计明年投入使用

集微网消息，近日，武汉光谷光迅科技高端光电子器件产业基地、中信科移动研发制造基地、小米武汉科技园等项目传来新进展。

中国光谷消息显示，光迅科技高端光电子器件产业基地预计明年投入使用；中信科移动研发制造基地已完成前期工作，月底即将进场施工；小米武汉科技园一期工程预计在年内毛坯竣工。

据悉，光迅科技高端光电子器件产业基地将打造服务中心、研发中心、智慧工厂、智能化仓储于一体的产业化基地，主要包括高速器件与模块的中试工艺验证与智能制造基地、高端光电子器件研发生产基地、5G与行业场景融合的新业务开发基地等。

中信科移动研发制造基地总建筑面积20万平方米，包括共享中心、生产制造用房、研发办公楼等。

小米武汉科技园总投资16.2亿元，总建筑面积36.9万平方米，建成后，将进一步发挥小米集团的核心技术优势。（校对/刘沁宇）