罗姆：SiC产能将扩25倍，以应对460亿市场需求

来源:第三代半导体风向发布时间:2023-02-242362浏览

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2023年2月14日，罗姆举办了 “2023年媒体线上交流会”。借此机会，“行家说三代半”采访了罗姆半导体（上海）有限公司技术中心副总经理周劲和市场宣传课高级经理张嘉煜。

行家说三代半：相比2021年，贵公司2022年在市场开拓方面取得了哪些成绩？

张嘉煜：2022财年（2022年4月1日~2023年3月31日）上半期，罗姆整个集团的销售额是在2600亿日元左右（约130亿元人民币），营业利润为504亿日元，纯利润为521亿日元。2022年，罗姆实际销售额同比提高了16.7%，营业利润提高了46%，包括主营业务之外的其他业务在内的经常利润达到了87%，纯利润增长了70%。基于2022年上半年的实际情况，罗姆半导体做了一个全年的销售预测——预估的整体销售额是在5200亿日元（约250-260亿元人民币），营业利润是在900亿日元，纯利润是800亿日元的预估。和上一年相比也是有10%-40%增长的预期。其中，汽车领域、工业设备领域以及计算机和储存设备领域都有20%以上的增长。碳化硅方面，汽车跟工业两个市场占罗姆碳化硅业务的60%-70%，今后太阳能、储能、UPS、服务器、基站、通信业务的展开也是罗姆着力推广的新方向。行家说三代半：在新能源汽车领域，2022年贵公司的碳化硅业务有哪些进展？周劲：2022年，电动汽车Lucid Air表示将采用罗姆的SiC MOSFET，以打造高效车载充电器（OBC）。同年，罗姆的第4代SiC MOSFET通过了赛米控公司的认证，将被应用在赛米控的车规级功率模块eMPack®里面。

近两年来，罗姆也是跟诸多客户进行技术上的一些合作。

●2021年，吉利逆变器选用罗姆的碳化硅器件，并签署了战略合作协议；●2021年，罗姆与正海集团成立了碳化硅功率模块合资公司——海姆希科，目前海姆希科已有量产产品；●2021年，罗姆被UAES(联合电子)公司认证为碳化硅功率器件解决方案的首选供应商，产品被应用于逆变器；●2020年，罗姆与纬湃科技合作开发碳化硅电源解决方案；●2020年，罗姆与臻驱科技建立了联合实验室，进行以碳化硅为主的电源解决方案的开发。

行家说三代半：除新能源汽车以外，贵公司的碳化硅在其他领域的发展情况如何？周劲：我们主要以车载市场和工业设备市场为主。除了在车载OBC、DCDC、EV用主逆变器、FCV等车载应用外，我们的碳化硅技术在服务器、基站、太阳能、蓄电系统、UPS、充电桩、工业设备大型电机、电池检测设备、高频加热器、感应加热器等各种实际应用中也得到了应用。

行家说三代半：2022年贵公司备受产业和市场的认可，也获得了“行家极光奖”，能否谈谈贵公司能够脱颖而出的优势有哪些？

周劲：关于SiC的开发，罗姆有着20多年的历史。值得一提的是，我们2021年发布的第4代沟槽SiC MOSFET产品，在改善短路耐受时间的同时实现了业内超低导通电阻，不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装产品。该产品有助于实现车载逆变器和开关电源等各种应用的小型化和低功耗。

第4代SiC MOSFET产品的特点有以下三点：一是改善短路耐受时间，同时实现业内超低导通电阻：通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构，成功地在改善短路耐受时间的前提下，使导通电阻比以往产品降低约40%，实现了业界SiC MOSFET超低的导通电阻。二是通过大幅降低寄生电容实现更低开关损耗：通过大幅降低芯片内的寄生电容，成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。三是支持15V栅源驱动电压，使应用产品的设计更容易：在MOSFET中，需要在器件导通时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了第三代SiC MOSFET所支持的18V栅源驱动电压（Vgs）外，第四代SiC MOSFET还支持更容易处理的15V栅源驱动电压，可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路），简化电路设计。行家说三代半：快速增长的新能源市场对第三代半导体提出了更多需求，贵司将采取哪些措施来应对市场需求？制定了什么目标？张嘉煜：为了满足市场需求，罗姆在不断地进行设备投资等——2022年度做了比较大的设备投资计划。尤其在罗姆主营的功率元器件方面，销售额目标是复合年增长25%的预期，碳化硅方面我们是有较高的增长预期。

碳化硅市场方面，我们预计2024-2026年整体市场需求接近9000亿日元（约460亿元人民币），为此，罗姆销售额目标是在2025年度大于1100亿日元（约56亿元人民币）的销售额。为了实现这样的目标，罗姆正在不断地进行碳化硅方面的投资，预计是在2021-2025这五年投入1700-2200亿日元（约87-112亿元人民币）。面向市场方面的急剧增长的需求，近两年都会有产能供应缺口的情况，罗姆制定了大幅度提升产能的计划——相比2021年，预计2025年产能提升6倍，到2030年提升25倍。我们的两个碳化硅生产基地——宫崎基地，还有阿波罗筑后工厂的新厂房也都投入使用，为我们扩产的计划打下坚实的基础。

行家说三代半：碳化硅产品和技术方面，贵司有怎样的规划？周劲：产品规划方面，罗姆目前主要以第4代SiC MOSFET产品为主，今后的计划是2025年、2028年分别推出第5代、第6代产品，每一代产品的导通电阻都将再降30%。

另外，我们将增加晶圆的直径，以提高生产效益，把碳化硅器件的成本持续降低，2017年罗姆全面进入6英寸的碳化硅晶圆时代，2023将实现8英寸衬底的量产。另外，罗姆优良的技术将能够实现单个元件尺寸的增加，目前的主流器件从2015年开始都是25平方毫米最大的规格，到2024年我们会实现50平方毫米的产品，可以支持更高电流输出的需求。其他人都在看：

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