韩厂国内产线沦科技战祭品 三星、SK海力士传赴美寻豁免

SK海力士DRAM先前于2021年11月间计划升级国内无锡厂产线时，面临到美国持续施压荷兰政府、阻碍ASML向国内出货EUV系统的先进制程设备禁售令，至今国内产线仍无法取得EUV装机。法新社

华尔街日报（WSJ）日前报导，美国商务部计划在2月下旬公布企业如何申请527亿美元《芯片与科学法案》（Chips and Science Act）补助的实行细则，然芯片法案采取「胡萝卜与狼牙棒」两手策略，不仅拨款补助厂商赴美建厂，也同时禁止获补贴业者在国内扩产先进制程。

对此，韩国每日经济新闻英文版网站ThePulse日前引述消息人士透露，韩国两大存储器芯片供应商三星电子（Samsung Electroncis）与SK海力士（SK Hynix）的公司高层，近期赴美与华府相关单位洽商，要求取得豁免或至少类似的宽限期。

有监于2022年10月美国拜登政府祭出对输中先进制程设备出口管制全面升级后，两大韩厂位于国内西安与无锡的产线，取得1年的豁免优待；三星与SK海力士高层此番飞赴美国，讨论涉及美国芯片法案的后续措施，针对美国政府对国内的出口管制进行紧急讨论。

在攸关527亿美元补贴的拨款规定里，原则上禁止受补贴业者在未来10年间赴国内投资扩产半导体制造产能；但若是用于「成熟制程」芯片、在国内「既有厂房或设备」的投资，以及大规模投资成熟制程芯片，主要服务国内当地市场需求者，则不在此限。

这意味着，包括台积电南京厂、松江厂，三星西安厂、苏州厂，SK海力士无锡厂、大连厂，以及美光（Micron）、英特尔（Intel）位于西安、上海、成都厂等「既有厂房与设备」，在未来10年仍有继续投资扩产的机会。

只不过，拨款法案虽然给出回旋空间，但无论是否服务于国内市场需求，还是有部分产品出口海外市场，关键仍在于「成熟制程芯片」(legacy semiconductor process)：先进制程一律禁止，成熟制程认定仍未明确。

根据该条款，如果三星和SK海力士获得美国芯片法案补贴，未来10年将被限制在国内进行额外投资：既有DRAM与NAND Flash时代产线投资应不成问题，但韩厂若想更新升级设备，例如SK海力士若是想要在无锡DRAM厂导入EUV曝光机台量产次时代存储器，现阶段已遭禁止，未来恐怕也升级困难。

三星在德州泰勒厂斥资170亿美元晶圆厂已于2022年底动工兴建，预计2024下半年量产4纳米制程；SK海力士也计划斥资150亿美元在美国进行先进封装制造和芯片相关研发，并计划在2023年为先进封装工厂选址，韩媒报导该工厂将在2025年至2026年之间开始量产。

两大韩厂目前面临的现实问题在于：即便不申请美国芯片法案补贴，无锡、西安等厂目前能够取得的设备宽限期也只有1年，未来能否展延，仍待与华府洽谈；至于未来正式递件、取得芯片法案拨款补助后，更让其「狼牙棒条款」勒住两大韩厂在国内产线的升级规划，孰轻孰重，这其中的计较恐怕只有业者心中自有一把尺。

责任编辑：张兴民