世界先进受惠去中化 高通、芯源、亚德诺PMIC转单

世界先进长期成长动能仍相当强劲，近期开始受惠去中化转单效应。李建梁摄

尽管受到需求疲弱与客户调节库存影响，8寸晶圆代工厂世界先进第4季至2023年首季业绩将走弱，2023年随着客户库存去完告一段落，逐季开始回补，加上美国禁令短期内未见明显负面影响，且感受到「去中化」的机会，陆续接获欧美大厂转单需求。

世界先进认为，虽然2023年上半仍具挑战，但长期来看，客户需求仍远高于世界先进所能提供的产能，此外，8寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产。

世界先进董事长方略先前信心表示，现阶段化合物半导体在全球半导体整体市占率不到1%，基期相当低，但看好后续成长动能将相当强劲，因此一直积极参与化合物半导体市场。世界先进GaN技术可靠性与良率已接近量产阶段，但初期因认证时间较长，市场规模也尚小、属于利基市场，因此营收贡献并不明显。

世界先进计划GaN前段将在晶圆三厂进行，后段磨切等制程则移至晶圆二厂，将以客户紧密合作，合力推进生产计划。近日正式宣布，其8寸0.35微米650V的新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，为晶圆代工领域首家量产此技术的公司。

世界先进2018年以Qromis基板技术(QST TM进行8寸QST基板的0.35微米650V GaN-on-QST制程开发，已于2022年第1季开发完成，于第4季成功量产，世界先进同时已和海内外整合元件制造(IDM)厂及IC设计公司展开合作。

QST基板相较于以矽(Si)作为基板，具有与氮化镓磊晶层更匹配的热膨胀系数(CTE)，在制程中堆叠氮化镓的同时，也能降低翘曲(warpage)破片，更有利于实现量产。世界先进的0.35微米650V GaN-on-QST制程能与自家既有的8寸硅片机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。

根据客户端系统验证结果，世界先进的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系统效率已达领先水准。此外，基于QST基板的良好散热特性，在整体快充方案效能上，世界先进提供的氮化镓晶圆具有更优良的散热表现。

世界先进第3季业绩表现符合财测预期，营收为新台币133.28亿元，季减12.9%，年增12.2%；毛利率45%，季减4.97个百分点，年减0.79个百分点；税后净利38.23亿元，季减21.76%，但比2021年同期成长16.27%。

累计前三季营收为421.21亿元，年增34.95%；毛利率 47.88%，年增5.95个百分点；税后净利128.01亿元，仍比2021年同期大幅成长57.96%。

展望第4季，世界先进预期，汇率以新台币31.7元兑1美元估算，第4季营收将季减逾2成，约95亿~99亿元，毛利率也再跌至39~41%，营益率为25.5~27.5%，双率持续衰退。

市场看好待市况回温，世界先进长期成长动能仍相当强劲，近期也开始受惠去中化转单效应，预估2023年会逐步收效，如高通(Qualcomm)、芯源(MPS)及全球最大模拟IC大厂亚德诺(ADI)等欧美业者，已与世界先进洽谈PMIC订单，加速投片量产时程。

责任编辑：朱原弘