景气逆风 英特磊揭GaSb、GaN现况稳行向前

英特磊10日举行法说会。董事长高永中表示，虽然全球市场目前面临通膨、油价上扬、消费性电子疲弱等大环境不稳定因素，但英特磊在磷化铟(InP)的营收部分持续有显着的贡献，加上锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)等产品持续有稳定的发展，推升2022年第3季营运表现优于2021年。

同时，英特磊指出，2022年除了7月外，每个月营收和2021年相比也都有相当的成长。

英特磊前3季累计营收为新台币6.82亿元，年增29.24%；税后净利为1.24亿元，成长103.07%。10月营收为7,631.7万元，年增7.22%；1~10月累计营收新台币7.6亿元，年增26.78%。

英特磊产品以营收占比大小依序为磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)及劳务营收。在应用端部分，英特磊指出，高速传输元件与光纤网络都各占有3成左右的营收，红外线侦测与射频元件各占约1.5成左右的营收，射频包括物联网、航太、无线通讯在内，以上合计占营收近90%，符合目前整体市场需求向上的趋势。

高永中表示，第3季已购入MBE7000生产机台5座，部分将升级增加产能与转售策略伙伴及客户，目前将持续完成组装现有机台，并洽谈机台销售及升级服务合约。

产品线方面，磷化铟磊芯片主要产品芯片光接收器(PIN)、异质结双极晶体管(HBT)需求稳定，雪崩式光接收器(APD)订单成长较快速，量产客户数渐增，平均订单金额较以往增加。此外，以磷化铟材料为主的长波垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)与量子级联雷射光器(QCL)雷射产品研发订单亦提高。

展望后市，英特磊指出第4季的营运重点为「提高生产效率，缩短交货期」。砷化镓产品第4季主要目标为确保mHEMT量产订单如期交货，并配合大客户开发高效能的工业用pHEMT量测产品。

此外，针对GaSb市况，GaSb相关产品因美国国防大厂年度剩余预算在第4季释出，加上美国盟国对GaSb磊芯片增高需求，相关营收增加可期。主力开发项目为新时代红外线夜视器。氮化镓方面，高浓度氮化镓二次生长磊芯片客户渐增，市场询问度增加，与主要客户合作之产品认证进行顺利，英特磊会持续争取商机。

整体而言，英特磊对于2022年整体成长既定目标维持不变。

责任编辑：张兴民