俄罗斯将自行开发7纳米制程微影设备 一解西方西方禁运之苦

俄罗斯应用物理研究所表示，正着手开发可用于制造7纳米节点制程芯片的微影扫描设备，并预计该设备会于2028年进入商业生产阶段。ASML

为摆脱对外国半导体业者先进芯片，和对晶圆代工业者的依赖，俄罗斯科学院(RAS)所属俄罗斯应用物理研究所(IAP)表示，正在着手开发可用于制造7纳米节点制程芯片的微影扫描(lithography scanner)设备，并预计该设备将于2028年进入商业生产。

Tom's Hardware与TechnoSports等报导，因入侵乌克兰而面临美国、英国和欧盟等地制裁的俄罗斯，不但已无法透过海外供应商取得当地所需先进芯片与IP，当地晶圆制造业者也无法取得外国半导体制造设备。为摆脱对外国业者的依赖，俄罗斯政府已计划投资3.19万亿卢布(约合384.3亿美元)，发展自家半导体制造技术、芯片设计、数据中心基础设施，和进行相关人才培育等工作，并预计在2030年底实现以自家技术在当地制造28纳米节点制程芯片的目标。

然而目前俄罗斯最先进晶圆厂仅能制造65纳米制程芯片，在无法取得国外先进半导体制造设备的情况下，要在8年内将芯片制程由65纳米提高至28纳米，必须要先开发出自家晶圆制造设备。

根据IAP规划，将会以6年时间分3个阶段来开发出7纳米微影设备原型。相较而言，ASML从65纳米发展到7纳米，总共花费14年。

有别于ASML或尼康(Nikon)的微影扫描设备，IAP计划采用功率大于600W的光源，曝光波长为11.3纳米(EUV波长为13.5纳米)，这将会需要采用比现今更为复杂的光学组件。不过由于光源功率相对较低，预期该设备体积将会更为小巧，和更易于制造，然而扫描产量也会显着低于现今DUV设备。

对此，RAS所属微结构物理研究所(IPM)副所长Nikolai Chkhalo表示，近20年来ASML一直在开发EUV微影扫描设备，并要提供全球最大晶圆制造业者所需要的极高产能。俄罗斯并不需要像ASML一般，开发出高生产力的设备。IAP是依据据当地微电子产业需求和任务来开发。俄罗斯自家半导体制造技术、设计标准、设备、材料的研发是要在简单性和校能间取得平衡。

现今微影扫描设备具有高度复杂性，牵涉到高效能光源、精密光学、精确运算等关键技术与零组件，并且晶圆厂设备还需要如蚀刻、沉积、抗蚀剂去除、计量和检测等其他设备，以及硅片等各种材料的配合。

尽管IAP充满热情，但该微影扫描设备是否真能如期进入量产，以及俄罗斯是否真能在2030年底达成自制28纳米节点制程芯片目标，仍有待观察。

责任编辑：张兴民