三星：下一代DDR6将应用MSAP技术

据韩媒报道，在近日召开的半导体融合部件安装技术和电子材料研讨会上，三星电子宣布了下一代封装技术路线图。

半加成法(MSAP)制作方案，主要是针对减成法制作困境、与加成法精细线路制作的既存问题进行改良，半加成法为在基板上进行化学铜、并于其上制作抗蚀图形，再经由电镀工法将预作基板金属线路图形增厚，再经去除抗蚀图形后经过闪蚀去除多余化学铜层，保留下来的部分即形成精细电子电路。

MSAP制程的特点是图形在形成过程主要为依靠电镀、闪蚀处理，而在闪蚀过程所蚀刻化学铜层相当地薄，因此，蚀刻耗时相当短，较不会产生电子电路线路侧向蚀刻问题。

三星电子表示，随着存储半导体性能的提高，封装技术也必须同时发展，部分竞争对手已经在DDR5产品中应用了MSAP技术，三星将在DDR6产品中也将导入MSAP技术。

据悉，MSAP技术还将为Fan-Out技术提供发展方向，Fan-Out技术是一种在半导体芯片外部布置封装输入/输出端子 (I/O) 的技术。