贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 为各类电源应用提供更好的支持

　　2022年6月9日�C提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅(SiC)FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。

　　贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装选项。1200 V SiC FET的导通电阻(RDS(on))值为23mΩ至70mΩ，可采用三引线TO-247-3L封装或四引线TO-247-4L封装。TO-247-4L封装采用开尔文栅极，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

　　UF4C/SC系列所有器件都可以用标准的0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动，从而在不改变栅极驱动电压的情况下，成为硅IGBT、FET或超级结器件的合适替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通过真正的5V阈值电压保持良好的阈值噪声容限、出色的反向恢复特性和内置ESD栅极保护箝位。