LM74670-Q1是具有 70uA 栅极驱动的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器

产品详情

描述：

LM74670-Q1 是一款控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 沟道 MOSFET 一起使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。该方案的一个独特优势是它不以地为参考，因此它的 I Q为零。AQY211EHAX全桥或半桥整流器和交流发电机中的肖特基二极管可以用 LM74670-Q1 解决方案代替，以避免正向传导二极管损耗并产生更高效的 AC-DC 转换器。

LM74670-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并提供快速响应内部比较器以在极性反接时下拉 MOSFET 栅极。该设备可支持高达 300Hz 的交流信号频率。

特性：

●AEC-Q100 符合以下结果：

○器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围

○超过 HBM ESD 分类等级 2

○器件 CDM ESD 分类等级 C4B

●峰值输入交流电压：42 V

●零智商

●用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器

●与肖特基二极管相比，正向压降低且功耗更小

●能够处理高达 300-Hz 频率的交流信号

应用：

●交流整流器

●交流发电机

●电动工具

●反极性保护

参数：

输入电压 (最小值) (V)：0.48

输入电压 (最大值) (V)：42

特征：线性控制、反极性保护、反向电流阻断

Iq (典型值) (mA)：0

智商（最大）（毫安）：0

IGate 源 (Typ) (uA)：70

IGate 源 (最大) (uA)：67

IGate sink (Typ) (mA)：0.07

IGate 脉冲 (Typ) (A)：0.1

工作温度范围（℃）：-40 到 125

IReverse (典型值) (uA)：110

VSense 反向 (Typ) (mV)：20

设计支持：EVM、参考设计、仿真模型

受控通道 (#)：1

场效应管：外部的

VGS (最大值) (V)：2.5