国内晶圆代工双雄2021年靓丽成绩单背后

在缺芯潮持续蔓延的2021年，全球半导体销售额首次超过5000亿美元，创下历史新高。中国作为全球最大的半导体市场，国内晶圆代工双雄中芯国际（688981.SH、00981.HK）和华虹半导体（01347.HK）也赚得盆满钵满。

根据ICInsights公布的2021年纯晶圆代工行业全球市场销售额排名，中芯国际位居全球第四位，在中国大陆企业中排名第一；华虹集团排名第五，紧随其后。

沪上某公募基金科技研究总监对第一财经表示，华虹走的不是摩尔定律的方向，而是往特色工艺上做，比如说PMIC电源管理芯片，功率、IGBT；中芯国际的方向则是朝着先进市场、往国际市场走。虽然拿华虹和中芯做比较有点“关公战秦琼”的感觉，但在国内，“他们在各自领域里，都是国产公司里面最厉害的。”

当然仍需承认的是，目前来看，中芯和华虹在技术水平上与国际企业仍存在差距，国内代工双雄仍有很长的路要走。

业绩：近五年华虹营收增长更快，中芯盈利增长更快

营收方面，华虹和中芯2021年营业收入都获得了大幅增长。其中，中芯国际2021全年保持产能利用率满载，营业收入从上一年的274.7亿元增长到356.3亿元，同比增长29.7%；华虹2021年销售收入达16.308亿美元（约合104亿元人民币），相比于2020年的9.613亿美元增长了69.6%。

净利润上，中芯2021年净利润达到112.03亿元，同比增长178.6%；华虹2021年达到2.31亿美元，相比于2020年增长了593.3%。

回顾近5年的业绩表现，根据通联数据Datayes！，中芯的营收规模增长66%，但盈利能力大幅提升，净利润规模增长了11倍，净利润率从2017年的4.22%提升至2021年的31.44%；相比之下，华虹的盈利能力五年来有所下降，净利润率从2017年的17.70%跌至2021年的14.03%，2020年净利率更是低至3.42%。

毛利率方面，中芯2021年毛利率为29.3%，同比增加5.5个百分点；2021年，华虹毛利率为27.7%，同比增长3.3个百分点。

中芯表示，展望2022年，基于外部环境相对稳定的前提下，公司预计全年营业收入增速会好于代工行业平均值，毛利率高于公司2021年水平。

产能：中芯、华虹双双积极扩产

在产能方面，中芯国际2021年年报表示，2021年，其销售晶圆的数量为674.7万片约当8寸晶圆，晶圆月产能为62.1万片约当8寸晶圆。

2021年，华虹无锡12英寸一期项目全面达产，贡献了29.5%的销售收入。这让华虹成功从8英寸晶圆厂华丽转身成为“8+12”晶圆厂。2021年华虹8英寸月产能为17.8万片，12英寸晶圆月产能为6万片。2021年，华虹晶圆出货量同比增长51.9%，产能利用率(相当于8英寸)为107.5%。

华虹在年报中表示，公司将继继扩大华安无锡12英寸生产线的产能，力争在2022年底前达到月生产能力9万片以上。

2022年初，中芯国际上海临港新厂破土动工。北京和深圳两个项目稳步推进，预计今年底前投入生产，预计2022 年公司新增月产能约 14 万片。中芯表示，2022年，计划产能的增量将会多于2021年。同时，为了持续推进已有老厂扩建及三个新厂项目，2022年依然是投入高峰期，资本开支预计约320.5亿元。

技术：中芯先进工艺营收占比提升，华虹55/65纳米工艺节点营收暴增

华虹半导体专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟、电源管理及射频等差异化工艺平台晶圆代工，提供 1 微米至 65/55 纳米技术节点的工艺，具备全球竞争力。

从工艺节点来看，华虹代工工艺以0.35微米及以上为主，占比高达43%，2021年在功率分立器件影响下，来自0.35微米工艺节点的营收增长50.6%。其次是0.11微米和0.13微米，占比为18.6%；90纳米及95纳米，占比为17.2%，值得一提的是，2021年在图像传感器、智能卡芯片、MCU和电源管理芯片影响下，来自90纳米及95纳米工艺节点的营收增长179.4%；55纳米及65纳米，占比9.7%，在2021年在独立式非易失性存储器、CIS和逻辑与射频产品影响下，来自55纳米及65纳米工艺节点的营收同比增长2258.8%。

中芯国际可以向全球客户提供0.35微米到14纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。

在技术节点方面，来自90纳米及以下制程的晶圆代工业务营收的比例为62.5%。其中，55/65纳米技术的收入贡献比例为29.2%，40/45纳米技术的收入贡献比例为15.0%，FinFET/28纳米的收入贡献比例为15.1%，而FinFET/28纳米2020年这一比例为9.2%。

值得注意的是，虽然受美国“实体清单”管制影响，中芯国际2021年仍然完成了1万5千片FinFET产能目标，风险量产和规模量产稳步推进。

据悉，FinFET(FinField-Effect-Transistor，鳍式场效应晶体管)工艺极大地推动了面向低功耗、大算力的终端应用市场的发展，鉴于其高资金投入、高技术壁垒的特点，目前全球具备FinFET量产能力的晶圆代工企业为数不多，产能需求强劲。

除了先进制程，中芯国际也在发展特色工艺。55纳米BCD平台进入产品导入，55纳米及40纳米高压显示驱动平台进入风险量产，0.15微米高压显示驱动进入批量生产。多种特色工艺平台研发也在稳步进行中，将按照既定研发节奏陆续交付。

同时，中芯国际表示，2021年，40 纳米高压显示驱动工艺平台、嵌入式闪存平台工艺（eFlash）、NOR Flash 存储工艺和 NAND Flash 存储工艺项目已完成研发。

研发投入方面，2021年，中芯国际研发投入41.2亿元，占营业收入的比例为11.6%；华虹2021年研发成本为8606万美元，2020年这一数字为1.08亿美元。

本文不构成任何投资建议，投资者据此操作，一切后果自负。市场有风险，投资需谨慎。

新闻来源：百家号，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。