集微咨询：重回高成长轨道 全球存储市场规模今年将创新高

集微咨询（JW Insights）认为：

- 受下游应用领域疫情后的复苏（数据中心、5G、汽车电子、工业）及产能供应、芯片涨价因素综合影响，2021年，全球存储芯片市场重回高成长轨道，市场规模将在2022年创新高；

- 随着地缘政治影响加剧，掌握自主可控存储技术的重要性逐步凸显，未来国产替代的逐步推进及集成电路自给率提升， 我国存储芯片产业将迎来新的发展机遇；

- 国内存储企业多处于快速成长期，通过战略规划，主要从中小容量市场切入，营收和体量稳步增长后推进大容量研发。借助国内在集成电路产业政策、资本上的东风，以及国产替代机遇，有望迎来更大的发展空间；

- 随着海外大厂逐步退出或将产能转移，大陆企业有望在NOR Flash中小容量领域获得市场空间并激烈竞争，多元化竞争格局凸显；

- 车用市场正逐渐成为存储产业的新蓝海，众多国内存储企业都在加速车载产品的研发和导入，进入车规级市场的导入周期正在缩短。

作为电子系统的重要组成部分，存储芯片在保证信息存储的可靠性与安全性方面承担着关键作用。在经历了短暂的增速放缓后，存储行业有望在今年重回高成长轨道并在市场规模上创造新的纪录。

大陆存储产业起步较晚，严重依赖进口。但经过数年发展，如今已有相当的突破，逐步打破海外企业的垄断。在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等主要存储领域涌现出行业或细分市场的龙头企业。

在后疫情时代的需求激增、产能紧缺，新应用市场不断开拓等众多因素的共同作用下，存储行业呈现高景气度，大陆相关存储企业业绩也因此而受益，去年营收都有显著提升。

2021年底，集微咨询（JW Insights）重磅推出了《中国半导体企业100强》排行榜单（以下简称“百强榜”），本文聚焦百强榜中主要的存储企业，从技术发展、市场趋势、竞争格局等方面，分析国内存储企业的现状、机遇和挑战。

一、存储业重回高成长轨道

1、技术概述

存储芯片又称半导体存储器，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一，在集成电路市场中占据极为重要的地位。

根据功能、读取数据的方式和数据存储的原理，存储芯片可分为易失性存储芯片（Volatile Memory，VM，断电后数据丢失）和非易失性存储芯片（NVM，断电后数据不丢失）。

易失性存储芯片常见的有DRAM（动态随机存储）和SRAM（静态随机存储），通常和CPU一起使用，为CPU提供运算时中间数据的存储。SRAM读写速度快、功耗小，但成本较高，一般用于高速缓存中，DRAM集成度高，一般用做内存。

非易失性存储芯片包括Flash（闪存）和ROM（只读存储器）。闪存芯片又分NAND Flash和NOR Flash两种。NAND Flash容量大，主要用于大容量数据存储；NOR Flash容量较小，通常用来存储开机软件程序。ROM目前应用最多的主要为EEPROM，存储容量更小，通常用来存取少量的程序代码。

目前，NAND、NOR及DRAM仍为市场主流存储芯片。此外，如MRAM（磁阻存储器）、RRAM（阻变存储器）、PRAM（相变存储器）、FRAM（铁电存储器）等新兴存储芯片技术也不断发展。虽然这些技术各有优势，但目前新型存储器的成本及工艺难度较高，并未实现规模发展，短期内无法替代现有存储技术的市场主导地位。

2、全球市场

根据世界半导体贸易协会（WSTS）的预测，全球半导体市场增长率将从2020年的6.8%上升到2021年的25.6%，达到5530亿美元的市场规模，创下自2010年增长31.8%以来的最大增幅，其中最大的增长贡献来自存储。

2021年，存储芯片的市场规模达到1580亿美元，达到与2018年高点相近的规模，占整个集成电路行业市场规模的比重达到35.05%，逻辑芯片、微处理器以及模拟芯片的市场规模占比分别为32.49%、16.82%和15.64%。这已是自2016年起，存储芯片连续数年超越占比最大的逻辑电路，成为全球集成电路市场销售额占比最高的分支。

集微咨询（JW Insights）认为，全球存储芯片市场自2018年达到顶峰后近年来呈现下行趋势，增长放缓。而伴随下游应用领域疫情后的复苏（数据中心、5G、汽车电子、工业）及产能供应、芯片涨价因素影响，2021年，全球存储芯片市场将重回高成长轨道，并在2022年超越2018年的高点。

根据IC Insights预测，2021-2023年全球存储芯片的市场规模将分别达到1,552亿美元、1804亿美元 及2196亿美元，增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。

在众多存储器芯片中，市场规模最大的仍是DRAM和NAND Flash，2021年全球DRAM市场规模约占整个存储市场的56%（约 869 亿美元），NAND Flash市场规模约占整个存储市场的 41%（约636亿美元），NOR Flash市场规模约占整个存储市场的2%（约31亿美元），其他存储芯片（EEPROM、 EPROM、ROM、SRAM 等）合计占比为 1%（约16亿美元）。

3、大陆市场

作为电子系统的“粮仓”、数据信息的载体，存储芯片在保证重要信息存储的可靠性与安全性承担着关键作用，但目前我国存储芯片自给率较低，大量中高端芯片均通过进口获取。

根据海关总署发布的数据，2021年中国集成电路进口额27934.8亿元。其中，存储芯片进口金额已连续多年占据集成电路进口总额的三分之一左右，规模巨大。

我国是全球最主要的存储芯片消费市场之一，大陆存储芯片市场已连续多年占据全球存储芯片市场份额的50%以上。随着电子制造领域水平的不断提升，5G、大数据、物联网、汽车电子等新兴应用领域的不断涌现，催生了存储芯片市场的巨大需求，近年来市场规模总体也保持较快增长。

根据赛迪顾问的预计，2021年我国存储芯片的市场规模将达到5494亿元。占全球存储芯片市场份额的59%。

集微咨询（JW Insights）认为，随着地缘政治影响的加剧，掌握自主可控存储技术的重要性逐步凸显，未来国产替代的逐步推进及集成电路自给率提升，我国存储芯片产业将迎来新的发展机遇。

4、竞争格局

目前，全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及台湾地区企业占据，头部集中度高。海外厂商凭借先发优势以及在终端市场的品牌优势，占据了大部分市场份额。特别是在大容量，以及汽车、工控等技术领先及高利润率领域，市场地位较为稳固。

大陆半导体存储产业起步较晚，经历几年发展后，国内企业在存储领域获得突破。不仅在主流DRAM、NAND Flash领域加速追赶、在NOR Flash、EEPROM等领域也不断获得优势。已出现在各个存储领域与知名公司直接竞争并突破海外技术垄断的公司，并在技术上逐步缩小与海外大厂的差距。

百强榜单中，涉及存储领域的企业（IDM和Fabless）主要包括兆易创新、长江存储、长鑫存储、普冉股份、北京君正、聚辰股份，复旦微电、上海贝岭、东芯股份、恒烁半导体等。其中，长江存储、兆易创新、长鑫存储分列十强中的第7、第8和第10位。

国内存储企业多处于快速成长期，通过战略规划，主要从中小容量市场切入，营收和体量稳步增长后推进大容量研发。借助国内在集成电路产业政策、资本上的东风，以及国产替代机遇，有望迎来更大的发展空间。

二、DRAM迎接黄金10年

1、技术概述

DRAM通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（b）来实现数据存储，具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。

DRAM主要可以分为DDR（Double Data Rate）系列、LPDDR（Low Power Double Data Rate）系列和GDDR（Graphics Double Data Rate）系列、HBM（High Bandwidth Memory ）系列。

按下游需求，DRAM可分为：

1）标准型DRAM，主要为DDR，运用于PC、服务器等领域；

2）移动型DRAM，主要为LPDDR，针对智能手机、数码相机等低功耗场景；

3）利基型DRAM主要运用于液晶电视、数字机顶盒、红蓝光播放器、网络通讯等产品；

4）GDDR一般会匹配使用高性能显卡共同使用；

5）HBM，则是将多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。

随着云计算、大数据的兴起，服务器的数据容量和处理速度在不断提高，推动了DDR技术的升级迭代。凭借工艺制程的不断微缩，使得产品的整体功耗呈现降低趋势。

DRAM产品目前处在10-20nm工艺制造的阶段。2021年开始三大内存厂商三星、海力士、美光陆续量产1αnm（10nm-12nm）的DRAM产品，预计10nm级的制程工艺在未来很长一段时间内将是DRAM的主流工艺水平。

目前市场上主流技术规范为DDR4和LPDDR4，国际上领先的DRAM产品已达到DDR5/LPDDR5。未来，DRAM产品会继续向提升产品制程、提高产品性能的方向发展。

2、市场分析

DRAM占据存储芯片最大市场。根据IC Insights预测，2021年全球DRAM市场规模约占整个存储市场的56%（约869亿美元）。

DRAM市场份额较高主要系下游应用领域广泛，手机、计算机和服务器等涉及数据里的 电子设备中均需配备DRAM，如智能手机中配置8Gb DRAM和128Gb NAND Flash，市场需求较高。

国金证券分析指出，受1αnm制程首次全面使用EUV光刻技术，AI服务器系统对于HBM高频宽内存需求增加、服务器CPU加速迭代更新至5/3nm、DDR5/DDR6（比DDR4消耗更多产能）及L3/L5自动驾驶技术陆续上路等综合因素影响，未来10年内DRAM市场，长期处于供给不足的状态，营收复合增长率将达到21%-22%，预计DRAM内存产业将进入未来10年的黄金时代。

多年来，DRAM呈现寡头垄断的格局，三星、美光、海力士三家企业占据市场95%以上份额。

长鑫存储代表大陆主流DRAM的技术水平，设计能力突出，定位大容纳量标准型DRAM产品，现已推出19nm的DDR4/LPDDR4产品，系大陆首家，全球第四家采用20nm以下工艺的DRAM厂商，17nm的DDR5/LPDDR5内存芯片预计今年推出。前瞻产业研究院研究预测，随着产能的提升，预计2022年有望达到3%的市占率。

作为IDM企业，长鑫存储被视为短期内中国DRAM产业完全国产替代唯一希望。最近发布的合肥政府工作报告显示，长鑫存储2021年营收增长5倍。

3、利基型DRAM

近年来，随着三星、海力士等存储大厂策略调整，陆续退出中低容量DRAM（产能转移至CIS），南亚科、力积电等转至逻辑代工，长鑫存储主攻19nm/17nm低功耗手机大容量DRAM等，使得DDR2 512Mb/1Gb，DDR3 1-2Gb等中低容量DRAM需求超过供给。

受此影响，带动利基型DRAM价格上涨，预计2021年全年利基型DRAM价格有望上涨超50%。

利基型DRAM约占总DRAM市场规模的8%-10%，约占60-80亿美元的市场空间。预计2023年利基型DRAM将达到100亿美元的市场规模，下游应用主要包括消费类、汽车、工控领域。

利基型DRAM采用相对成熟的制程，以DDR3/LPDDR3为主。中小容量利基型DRAM主要应用于数字电视，平板，光猫（单端口光端机）（全球年产1.7亿台，国内1.1亿台），路由器（国内年产2亿台）、白电、网络机顶盒等产品，市场空间大，需求较为稳定。

近年来随着智能音箱（2021年全球年产2亿台，预计CAGR为30%）、扫地机（估计年产4000万台）、智能监控等智能家居产品的应用与兴起，AIoT设备，5G基站，汽车电子等带动全球利基型DRAM需求旺盛。

利基DRAM领域领先厂商为台湾地区的华邦电子与南亚科等，采用IDM模式，产品制程在20nm。百强榜单中，涉及DRAM领域的国内企业，普遍采用Fabless模式，并聚焦于DDR4/LPDDR4及以下的利基型DRAM产品市场。

4、大陆主要企业

兆易创新去年切入DRAM赛道，量产了首款自研19nm 4GB DDR4已于去年量产，长鑫存储代工，实现设计、流片、封测、验证的全国产化。目前正在研发17nm的DDR3，针对物联网（机顶盒、路由器）、网络摄像头、电视、等消费类等场景，预计今年将贡献营收。

集微咨询（JW Insights）认为，凭借在先进制程上的挺进以及长鑫存储在产能上的保障，多年在利基型存储领域（NOR Flash）的客户积累以及国产替代机遇，兆易创新有望迅速在利基型DRAM市场打开局面。百强榜中，根据兆易创新公布的财报数据，2021年营收为85.10亿元。

西安紫光国芯已推出38nm-25nm，1-8GB容量的DDR/LPDDR-DDR4/LPDDR4产品，服务器用DDR5已试产，主要用于云和大数据行业。

东芯股份聚焦中小容量通用型存储芯片，国内少数能够提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片解决方案的厂商，DRAM业务占营收比重较小（7%），主要由收购的韩国公司Fidelix负责研发设计。

东芯股份主要产品38nm/25nm的1-4GB容量的DDR3，256Mb-2Gb的LPDDR1/2已实现量产，力积电代工，25nm的LPDDR4x处于研发中，产品尚处于导入期，整体销售规模较小（2019年市场份额0.16%）。在百强榜单中，根据东芯股份提供的财报数据，2021年营收为11.39亿元。

集微咨询（JW Insights）认为，相比于利基型DRAM台湾地区企业如华邦、南亚科覆盖DDR2-DDR4和LPDDR-LPDDR4/4X完整品类覆盖，以及具备20xnm-10xnm的产品自主开发能力，大陆企业主流工艺节点为3xnm-20nm，在制程、容量、传输速度方面与其均有一定差距。

5、车用DRAM市场

在DRAM新兴应用领域中，车载存储是最被看好的市场之一。据HIS、IDC预测，车载DRAM和NAND将分别以33%和37%的年增长率在2025年达到85亿美元和61亿美元的市场规模。

自动驾驶、智能座舱等将带动汽车数据量海量增长，相应需要更大容量存储来满足需求，DRAM和NAND将成为未来汽车上使用的主要存储芯片。

数据显示，2021年每辆汽车大约需要3.5-4Gb的DRAM用于车载影音和ADAS。新的Model S Plaid 及长续航车款，至少从20GB DRAM起跳。预计每车内存器位元容量将从2021年的3.5-4.0GB DRAM，增加到2030年的50-55GB DRAM。

北京君正2020年完成对于北京矽成（ISSI）的收购后，一跃成为大陆车规存储的龙头企业。北京矽成存储业务包括SRAM、DRAM和Flash，以DRAM为主，面向汽车、工业和医疗及高端消费市场。在车用DRAM领域，美光以45%的份额位列第一，ISSI排名第二，约占据15%市场份额。

北京君正目前车规市场中主要为DDR3和DDR4/LPDDR4产品，最新工艺达到25nm。

行业分析指出，车用存储芯片对可靠性、安全性要求高，体现为承温范围更广、使用寿命更长。产品供货周期较长、迭代较慢、价格稳定。因此，即使三星、海力士、华邦电子与南亚科等主流存储器厂商多年来不断向车规存储方向导入，但仍难以撼动美光与北京君正/ISSI在汽车存储领域的行业地位。

三、中小容量NAND Flash现机遇

1、技术概述

Flash芯片分为NAND Flash和NOR Flash两类。NAND Flash芯片技术特点为非随机存储，不可执行代码，以块为单位进行存储操作，具备高写入和擦除速度，具有更长的寿命，适合大容量数据存储。

当容量达到1Gb以上，NAND Flash单位容量的成本远低于NOR Flash，被广泛应用于服务器、手机、PC、固态硬盘等大容量领域。与机械硬盘（HDD）等传统存储介质相比，采用NAND Flash芯片的SD卡、固态硬盘（SSD）等存储设备没有机械结构，还具有无噪音、寿命长、工作温度范围广等优点。

根据存储原理的不同，如每个存储单元可存储数据位的多少，Flash进一步分为可以单层单元（SLC）、 多层单元（MLC）、三层单元（TLC），甚至四层单元（QLC）四大类，从结构上又可以分为2D、3D两大类。

目前，大容量数据存储通常选用MLC NAND或TLC 3D NAND Flash，如智能手机、大容量 U 盘、固态硬盘等领域；而在高可靠、高速度、低容量的应用领域，则可由SLC NAND或SLC NOR Flash产品完成相应工作，如物联网、工业控制、可穿戴式设备、网络通讯和PC等领域。

当前各大原厂3D NAND的主力工艺在96层和128层，预计今年176层3D NAND或将成为市场竞争的主旋律。

2、市场概述

NAND Flash凭借容量和成本优势，已经成为大容量存储的主要选择。占据了当前存储芯片的主要市场份额。数据显示，NAND Flash市场规模约占整个存储市场的41%（约636亿美元）。

全球NAND Flash市场主要被海外企业垄断。近年来，三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、英特尔和海力士六家企业格局较为恒定。TrendForce的数据显示，2021年Q4，上述六家企业在全球NAND Flash市场的合计份额达96%。

长江存储是大陆唯一规模量产14nm 3D NAND Flash厂商，代表大陆厂商在NAND领域的技术高度。目前长江存储已量产128层TLC、QLC的3D NAND芯片，集微咨询预计2021年长江存储营收为110亿元。

Trendforce数据显示，在2021年，长江存储的闪存产品在全球的份额大约为4%左右，2022年，预计能够达到7%左右。到2023年，长江存储在全球存储芯片市场的份额占比将会超过10%，成为存储芯片市场上的重要力量。

全球领先的NAND厂商的投入和领先优势主要集中在大容量的3D NAND产品方向，应用市场主要是智能手机等移动终端内存储、固态硬盘等。

当前，NAND Flash市场的发展主要受到智能手机和平板电脑等移动市场需求推动。5G和AI的应用，如高清摄像头、视频等更优秀的体验将会催生更多内容存储，预计2020年到2025年期间，手机NAND Flash存储的GB容量将增加3倍。

此外，受数字化转型浪潮驱动，PC领域的市场复苏及PCIe4.0转向的趋势，数据中心市场的对于高性能、大容量存储需求提升（2018-2025年，SSD增长速度为机械硬盘3倍），以及汽车电子对于存储容量的提升（2019-2024年全球ADAS领域的NAND Flash存储消费复合增速达79.8%，Gartner），将显著推动NAND FLash市场增长。

3、SLC NAND Flash市场

与大容量存储产品追求单位存储密度的发展趋势不同，SLC NAND具有较高的读写速度、较长的寿命及较高的可靠性，目前主要应用对可靠性和延迟要求要高的相关领域，如消费类的可穿戴设备、工业级的5G通信设备、安防监控、以及汽车应用等。

在NAND Flash全球市场中，SLC NAND占据着5%的市场份额，一年近30亿美元。根据Gartner数据统计，在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域的影响下，2019年至2024年SLC NAND全球市场份额预计复合增长率将达到6%。

SLC NAND领域的龙头企业三星电子和铠侠是IDM模式，其技术产线成熟，先进的产品制程已达到16nm（三星）。SLC NAND的技术发展趋势主要为提升产品制程以及提高产品的性能。 在制程节点方面，SLC NAND领域成熟的工艺水平已经达到1xnm，未来产品将进一步微缩制程，降低成本和功耗、提升数据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。

与3D NAND不同，在中小容量SLC NAND领域，国内外主流工艺节点差距较小，国际大厂工艺先进的优势无法得到充分发挥，并且SLC NAND也是进入MLC NAND、TLC NAND甚至3D NAND大容量存储的必经之路，因此SLC NAND领域云集了众多大陆厂商。国内领先的制程为24nm，同时也在向1xnm制程挺进。

4、大陆主要企业

SLC NAND Flash领域，大陆企业产品主要围绕高可靠性，逐步进入工业、汽车等领域。

兆易创新目前SLC NAND成熟工艺节点为38nm，24nm工艺节点已经实现量产并成为主要工艺节点之一，目前正在向19nm工艺节点推进，产品覆盖1Gb-8Gb主流容量。

近日，兆易创新宣布全国产化38nmSPI NAND Flash――GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。覆盖1Gb-4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储芯片的空白，全面进入汽车应用领域。

东芯股份38nm/28nmSLC NAND已量产、24nm已达到可量产水平，1xnm SLC NAND处于开发中。主要集中在宏基站、微基站、光猫、Wi-Fi6、监控、安防等市场。

复旦微电的38/40nm SLC NAND已稳定量产，已启动2xnm制程节点设计开发。光猫、WiFi6路由器，4G LTE 数据卡、4G功能手机等是其重要市场。百强榜单中，集微咨询预计复旦微电2021年营收为25亿元。

其他大陆NAND Flash厂商还包括芯天下、豆萁科技、宏旺半导体等也有SLC NAND相关产品。

集微咨询（JW Insights）认为，相较于IDM模式，大陆NAND Flash设计企业工艺制程更新速度较快，管理成本低，服务响应度高，在目前国产替代的趋势下，在渠道覆盖以及客户关系方面更有优势。同时，随着5G通讯及安防监控领域的持续增长以及汽车电子等新兴领域的兴起和发展，中小容量存储市场未来具有较大增长空间，大陆企业将因此受益。

四、NOR Flash多元竞争格局凸显

1、技术概述

电子产品因内部指令执行、系统数据交换等功能需要，必须配置中小容量的代码存储器，用来在较小能耗下实现功能需求，NOR Flash因具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势，成为电子产品中不可或缺的重要元器件，也是除DRAM和NAND Flash外市场规模最大的存储芯片。

NAND Flash的优势在于高密度、大容量、低成本，擦写速度较快，但由于NAND Flash的外围电路更为复杂，面积更大，因此在1Gb以上的数据存储场景NAND Flash较NOR Flash方才具备明显的成本优势。由于外围电路简单，NOR Flash在512Mb以下容量具有较高的成本效益。

浮栅技术（Floating Gate，又称ETOX工艺），是NOR Flash的主流工艺，具有良好的高低温稳定性和可靠性等特性，存储容量可以从1Mb扩展至1Gb以上。

NOR Flash的另一种工艺为SONOS，业内仅有普冉股份等少数公司采用，并主要用于中小容量产品，SONOS工艺结构相对比较简单，成本上非常有优势，特有的隧穿原理能够使产品具有更低功耗，总体上在128M以下具有明显优势，SONOS工艺产品在整个 NOR Flash 市场上占份额较少。

65nmETOX目前是NOR Flash 产品的主流工艺制程。随着下游应用对NOR Flash产品要求不断提升，大容量NOR Flash的工艺制程正朝着50nm及以下推进。小容量NOR Flash则停留在65nm或是更落后的制程。部分领先的NOR Flash厂商正在研发4xnm节点的制程工艺，但距离大规模量产还需要一定时间。

2、全球市场

2006年（NOR Flash全球规模为70亿美元）之后的10年间，NOR Flash的市场空间随着功能手机数量的减少而逐年降低。而在近年，随着智能手机、可穿戴设备（TWS耳机、智能手环/手表）、物联网、5G、安防以及新能源汽车（智能驾驶）等下游新兴应用需求的快速增长，对存储芯片的读取速度以及复杂化功能的要求，逐渐成为NOR Flash市场规模增长的主要驱动力，NOR Flash的市场重拾增势。

根据CINNO预测，2022年全球NOR Flash市场规模将达到37.2亿美元，将会保持每年10%左右的成长。

行业内通常将32Mb以下的NOR Flash认定为小容量，能够实现简单的代码执行功能，在PC主板、机顶盒、路由器、蓝牙耳机、AMOLED、TDDI、可穿戴设备和安防监控产品等领域有广泛的应用；将32Mb-128Mb视为中容量，能够实现较为复杂的程序执行功能，将128Mb以上视为大容量，强调功能复杂性以及快速启动、可靠性的特点，主要用于5G基站、车载电子等工业、汽车电子领域，上述市场采用大容量NOR Flash，主要原因是只有操作频率高、数据传输速率快的NOR产品才能满足汽车、工业等对快速启动和可靠性的需求。

3、细分领域

集微咨询（JW Insights）认为，新兴应用领域的容量需求变化趋势将是推动NOR Flash规模增长的主要动力，主要包括：

1）TWS耳机（真无线蓝牙耳机）：随着很多厂家加入空中下载（OTA）、降噪等功能，NOR Flash的容量已从原来的8Mb、16Mb增加到64Mb、128Mb（即将发布的Airpods新一代产品将使用256Mb），预计2020-2023年TWS NOR市场空间CAGR达41.4%。

2）IoT：随着智能手表/手环等不断引入生物识别、健康检测等新功能，对NOR Flash的容量和性能将提出更多要求，将进一步促进NOR Flash的需求量稳步提升。2020-2025年IoT NOR市场年均复合增长率为10.2%。

3）AMOLED驱动IC外挂NOR Flash（2Mb-16Mb）用于电流和亮度补偿；TDDI外挂NOR Flash用于储存触控功能所需的编码数据，合计对于NOR Flash的市场贡献约为13.7 亿元。

4）5G基站（AAU、BBU），搭载6-10颗512M-2Gb的NOR Flash，随着全球5G网络建设的进一步拓展（我国三大运营商未来三年5G基站建设量约为275万个），基站端的大容量NOR Flash需求也将呈现爆发式增长，预计2019-2021年NOR Flash在5G基站市场的总规模分别为500、2550、5850万美元。

5）汽车电子。汽车电子中NOR Flash（128Mb-2Gb）主要用于包括汽车仪表盘在内的显示系统、ADAS系统（高级辅助驾驶系统）等对启动速度要求较高的电子设备中，预计NOR Flash在车载领域的市场空间能够达到8-12亿美元。

4、竞争格局

NOR Flash的行业集中度较高，目前，全球NOR Flash市场主要由华邦、旺宏、兆易创新和赛普拉斯、美光五家厂商主导，合计约占据四分之三的市场份额。

与此同时，行业内其他中小厂商市占率逐年提升，由2018年的8.2%提升到2020年的21.6%，主要推动力量来自大陆。

三星在2010年完全退出市场NOR Flash，将产线集中至NAND Flash和DRAM，美光和赛普拉斯分别在2016年和2017年开始减少中低端NOR Flash存储器产品产能，耕耘高毛利更高的高容量NOR Flash，或转向DRAM和NAND Flash业务，旺宏和华邦实际均减产5%-10% ，这些给予大陆企业更多发展空间。

目前，包括普冉股份、东芯股份、聚辰半导体、恒烁半导体、珠海博雅、芯天下、复旦微电、豆萁科技、中天弘宇等成为国内玩众多的领域， NOR Flash行业开始呈现出多元竞争格局的趋势。

集微咨询（JW Insights）认为，目前大部分国内厂商成长期，主要应用领域为可穿戴设备、移动终端等领域，但在汽车电子、工业等领域尚未形成具备竞争力的NOR Flash产品，主要系产品的工作温度范围等性能指标较国外主流水平具有差距。从产品体系来看，台湾地区企业华邦、旺宏的NOR Flash已覆盖512Kb-2Gb的完整产品线，大陆企业除兆易创新外，多停留在512Kb-128Mb等中小容量领域，对大容量NOR Flash覆盖不足，在汽车电子、工业等领域尚未形成具备竞争力的NOR Flash产品。

5、大陆企业

兆易创新是大陆在NOR Flash领域的绝对龙头，目前作为全球第一的Fabless Flash供应商，国内第一、全球前三的市场地位稳固。

目前，兆易创新已实现了55nm先进制程工艺节点SPI NOR Flash全线量产，并提升大容量产品占比。同时，兆易创新车规级SPI NOR Flash产品2Mb~2Gb容量已全线铺齐；GD55 2G大容量产品通过车规AECQ-100认证，GD25车规级存储全系列产品已在多家汽车企业批量采用，是目前唯一的全国产化车规闪存产品。

普冉股份的中小容量NOR Flash产品采用55nm、40nm制程，涵盖容量从512K-128Mb，以32Mb以上为主。2021年普冉股份完成了40nm 4M-128M全系列产品开发，并于Q3全部量产出货，今年继续向40nm制程切换，是国内首家实现NOR Flash产品40nm制程的公司。百强榜单中，根据普冉股份发布的财报数据，2021年营收为11.03亿元。

恒烁半导体今年计划在50nm以及40xnm制程上实现突破，容量覆盖256Mb～1Gb，具有高可靠性和高稳定性的NOR Flash存储芯片。

东芯股份目前48nmNOR Flash已达到可量产水平，主要容量覆盖2Mb-256Mb，今年将推出512Mb-1Gb产品。

聚辰股份预计2021年Q3陆续实现64Mb及以下的NOR Flash产品量产，产品具有更可靠性能和更强的温度适应能力，并在功耗、数据传输速度、ESD及LU等关键性能指标方面达到业界领先水平。百强榜中，根据聚辰股份公布的财报数据，2021年营收约为5.45亿元。

复旦微电目前在ETOX NOR Flash 55nm平台实现了128Mb~8Mb系列宽电压NOR Flash产品量产，并持续投入ETOX NOR Flash 50/40nm工艺平台和产品开发。百强榜中，根据复旦微电公布的数据，2021年营收为25.76亿元。

集微咨询（JW Insights）认为，作为自动驾驶发展关键环节，ADAS对其搭载芯片的响应速度以及数据完整性有着较高要求，NOR Flash在这些方面都具有其他芯片没有的优势。

因此，目前大陆厂商正在加速汽车领域渗透，在兆易创新率先挺进车规市场后，东芯股份、普冉股份、聚辰股份等也计划逐步从工业标准向车规级演进。NOR Flash在工业和汽车占比会持续增长，但消费领域需求更多，需要数年才会达到高占比。中大容量NOR Flash市场具有客户粘性强，毛利率高等特点，有利于企业长期可持续发展和品牌积累。切入汽车电子，5G基站等工业市场和大容量物联网设备市场，可提供业务发展空间。

五、EEPROM竞逐车规市场

1、技术概述

EEPROM（可擦写可编程只读存储器）是一类通用型的非易失性存储器芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程，可在线改写，可擦写次数至少100万次，数据保存时间超过100年，容量介于1Kb~1Mb之间。

在实际应用中，EEPROM主要作为模组中控制芯片的辅助芯片，解决模组芯片的数据存储需求，比如智能手机摄像头模组内存储镜头与图像的矫正参数、液晶面板内存储参数和配置文件、蓝牙模块内存储控制参数、内存条温度传感器内存储温度参数等。

相较于NOR Flash，EEPROM的容量更小、擦写次数高，功耗低，适用于各类电子设备的小容量数据存储和反复擦写的需求，广泛应用于智能手机摄像头、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子、工业控制等领域。

EEPROM存储器产品主要分为消费级、工业级和汽车级，不同级别的EEPROM产品性能差异体现在温度适应能力和可靠性。EEPROM由于其独特的芯片结构，具备高可靠性、长使用寿命和高性价比等优点，长期以来满足了消费电子、工业控制、家电、通信等领域稳定的数据存储需求。

其中，消费级EEPROM要求-40℃-85℃的温度适应能力，100万次的读写次数；工业级EEPROM要求-40℃-105℃的温度适应能力，400万次的读写次数；汽车级EEPROM根据不同的温度适应能力，分为了：A3（-40℃-85℃）、A2等级（-40℃-105℃）、A1等级（-40℃-125℃）、A0等级（-40℃ -150℃）。

EEPROM存储芯片整体表现出存储容量和可靠性上升的特点，具体在工艺制程和性能方面的表现如下：工艺制程方面，EEPROM产品的主流工艺制程已经发展到了130nm，未来有望继续向95nm及以下推进。

2、市场概述

EEPROM存储器市场规模在2016年以前，始终呈平稳发展态势。近年来，智能手机摄像头模组更新换代，加上IoT的发展，EEPROM市场规模骤然增加。2016-2017年是EEPROM市场变化的拐点，主要增长驱动力在手机摄像头和汽车电子领域。

根据赛迪顾问数据，2020年，全球EEPROM存储芯片市场规模约为8亿美元，预计2021年将接近8.5亿美元，2023年全球EEPROM市场规模将达到9.05亿美元。

在市场方面，智能手机摄像头模组应用已成为EEPROM最大单一应用市场。2021年全球智能手机总摄像头个数将达到59亿个。根据赛迪顾问数据，2018-2023年，全球智能手机摄像头对于EEPROM的需求将从21.63一颗增加到55.25亿颗。未来随着摄像头模组的逐步升级，高容量EEPROM的市场占比将持续提升。

此外，工控领域如智能仪表（智能电表、水表、燃气表2023年的总体市场规模预计将超过400亿元），汽车电子（平均每辆车上的EEPROM使用需求在16颗以上，2021年汽车电子EEPROM存储芯片需求量将达到21.65亿颗），将为EEPROM提供大量市场空间。

3、竞争格局

从市场格局看，EEPROM的细分市场分为汽车、工业和消费电子。

全球EEPROM市场主要厂商包括意法半导体 （STMicroelectronics）、微芯科技（Microchip Technology）、安森美半导体（ON Semiconductor）、艾普凌科（ABLIC， Inc.）、聚辰股份、复旦微电、罗姆半导体（ROHM Semiconductor）等，上述厂商主要来自欧洲、美国、日本和中国大陆地区。

意法半导体、安森美等全球前十大EEPROM厂商占据超过95%的全球EEPROM市场份额。其中，意法半导体、安森美、微芯科技等国外企业专注于汽车、工业领域，聚辰股份、复旦微电等大陆企业专注于消费电子、仪器仪表等领域。目前看，海外领先企业的EEPROM制程在110nm，大陆企业普遍停留在130nm。

4、大陆企业

聚辰股份是大陆EEPROM企业龙头企业，手机EEPROM全球第一，大陆EEPROM第一，全球EEPROM第三。在巩固手机摄像头模组地位的基础上，聚辰股份也在家电、“三表”、汽车等领域进行相关布局。

目前聚辰的工业级EEPROM 产品在可靠性（包括擦写次数、保存时间）、工作电压、功耗等关键性能指标方面已达到国际竞争对手水平，同时完善在A1等级和A0等级汽车级EEPROM的技术积累和产品布局，由车载摄像头、液晶显示、娱乐系统等外围部件逐渐延伸到BMS电池管理系统、智能座舱、MDC等核心部件延伸。

聚辰股份是业内少数同时具备工业级EEPROM产品和汽车级EEPROM产品研发设计能力的企业之一。

复旦微电实现了130nm工艺平台实现量产，小容量EEPROM产品在电脑显示器领域市占率达到30%以上，大容量EEPROM在智能电表领域市占率超过50%，中容量EEPROM在全球智能手机摄像头领域份额4%左右。

上海贝岭的EEPROM产品系列已经基本齐全，实现了容量2kb-2Mb、各种封装形式的全覆盖，产品客户重点分布在工业控制、智能电表、移动终端等领域。

普冉股份EEPROM产品覆盖2Kb到2Mb容量，主要采用130nm制程，95nm及以下研发进展顺利。普冉股份拟开发A3和A2等级的车载EEPROM产品。2020年普冉股份在NOR/EEPROM市占率全球排名均为第6，营收增速在NOR/EEPROM全球TOP10中最快。

在汽车电子领域，由于核心汽车厂商过去集中于欧美及日本，使得国产存储器厂商进入汽车电子市场的壁垒较高。近年来，随着国产汽车厂商的崛起，在车身控制系统、仪表、BMS电池管理等各类车用电子产品中，国产EEPROM 产品得到了越来越普遍的运用，相应的其市场份额也在同步提升。

集微咨询（JW Insights）认为，在汽车级EEPROM 竞争领域，目前境外竞争对手已形成较为成熟的汽车级EEPROM产品系列，技术水平和客户资源优势相对明显，境内暂无成熟、系列化汽车级 EEPROM 产品供应商，汽车级产品获得主流客户认可尚需时间。但随着国产替代加速，大陆EEPROM进入车规级市场的导入周期正在缩短，国产替代促进进程加速，缺货导致导入流程简化，客户更愿意给国内厂商机会，随着企业品牌影响力加大主动寻求合作，大陆企业在EEPROM车用市场的空间将进一步增加。