东微半导体核心技术所涉专利陈旧 痛失金字招牌 科创属性似有不足

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聚焦IPO | 东微半导体核心技术所涉专利陈旧，痛失金字招牌，科创属性似有不足

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表面看东微半导体研发人员占比不低，但实际上，其研发团队规模和研发费用投入均偏低。从研发成果来看，其核心技术所涉境内专利也多是“陈年”旧专利，因此其技术先进性可想而知。另外，2020年其丧失了“高新技术企业”的金字招牌。从这诸多因素来看，其是否符合科创板定位值得商榷。

苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导体”）近日携带招股书（申报稿）冲刺科创板。

《红周刊》记者查看其招股书，发现东微半导体科创属性似有不足，不论是研发团队规模，还是研发投入金额，均低于同行业可比公司。其核心技术对应的专利过于陈旧，最早的专利申请日期竟然可追溯到2008年，而报告期内则无境内授权专利。2020年，其更是痛失“高新技术企业”的金字招牌，因此，其能否顺利迈过科创板门槛，尚存在很大不确定性。

研发团队规模过小，研发投入不高

东微半导体是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。据招股书显示，2018年至2020年（以下简称“报告期”），其研发人员占比分别高达55.56%、48.65%、45.28%，而据证监会修订的《科创属性评价指引》（试行）指出，科创板上市企业的研发人员占比需要超过10%，可见，东微半导体远远超过了科创板上市标准红线，其研发团队应该比较庞大才对。

但事实上，该公司的研发队伍规模并不庞大。据招股书披露，报告期各期末，其员工总人数分别为18人、37人、53人（见附表），换言之，东微半导体员工总人数较少，这才显得其研发人员占比很高。而其研发人员数量在报告期各期末分别仅为10人、18人、24人，故从数量上看，其研发团队规模并不大。

东微半导体人员总体规模较小与其主要采用Fabless经营模式有很大关系，该模式之下，企业只需专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成，因此可以减少员工规模。不过据《红周刊》记者查询，同样是以该模式为主的可比公司新洁能、扬杰科技，其研发团队人数在2020年末分别为71人、676人，相比之下，东微半导体研发人员规模仍然显得太小。

附表 东微半导体研发投入及相关情况

东微半导体的研发团队规模较小，那么其研发投入情况又如何呢？据招股书披露，报告期内，其研发费用金额分别为1603.83万元、1202.58万元、1599.36万元，三年合计仅4405.77万元。且其研发费用占营业收入的比重逐年降低，分别为10.49%、6.13%、5.18%。需要注意的是，2018年、2019年，其研发费用率较高是由于在此期间，其对研发人员实施股权激励而确认了股份支付费用，金额分别为778.99万元、101.03万元，若剔除股份支付费用部分，上述期间，其研发费用率分别为5.39%、5.62%，刚刚过科创板研发费用率不低于5%的红线。

那么同行业企业情况又如何呢？东微半导体在招股书中将新洁能、华微电子、华润微、扬杰科技、士兰微作为其同行业可比公司，根据披露，前述可比公司在报告期内研发费用率的平均值分别为5.90%、6.24%、6.48%，不难看出，东微半导体各年均低于行业平均值，这意味着在行业内其研发投入也处于较低的水平。

核心技术先进性似有不足

虽然，东微半导体研发人员数量少、研发投入金额较低，但也不排除其能通过有限资源，创造出巨大研发成果的可能性，那么，其专利情况究竟如何呢？

据招股书显示，截至2021年4 月30日，东微半导体在中国境内共拥有38项已获授权专利，包括发明专利37项，实用新型专利1项。而《红周刊》记者也查询了东微半导体可比公司的专利情况，其中仅部分公司披露了相关信息，根据记者获得的信息，截至2020年末，新洁能拥有127项专利，其中发明专利36项。华润微已获得授权并维持有效的专利共计1711项，其中境内专利1492项、境外专利219项。从专利数量上来看，东微半导体相比行业公司有所不及。

东微半导体境内共拥有38项专利，但是若仔细查看申请日期则不难发现，其专利技术似乎有些陈旧，距今时间最近的一项专利的申请时间为2017年12月29日，而申请时间最早的专利则要追溯到2008年1月，时间着实有些久远，这也表明其在报告期内并没有获得授权的境内专利。

最为关键的是，科创板对于专利审核看重的是公司相关专利是否用于核心技术，且核心技术是否形成了核心产品并创造营收。据招股书显示，虽然东微半导体核心技术对应的产品包含MOSFET、IGBT、Hybrid-FET三大品类，但其中仅MOSFET实现了批量生产，其余产品均处于小批量试生产阶段，因此其主营业务收入目前全部来自于MOSFET产品。

核心产品中，MOSFET对应的核心技术分别为“深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术”、“屏蔽栅结构中低压MOSFET设计及其工艺技术”、“Super-Silicon超级硅MOSFET设计及其工艺技术”，三项技术又分别对应7项、6项、3项境内发明专利；IGBT对应的核心技术为“Tri-gate结构IGBT器件设计及其工艺技术”，技术对应4项境内发明专利；Hybrid-FET对应的核心技术为“Hybrid-FET器件及其工艺技术”，技术对应3项境内发明专利。

据前文所述，东微半导体境内发明专利大多申请时间较远，这表明其核心技术在很大程度上还是依靠“陈年”旧专利来支持的，因此其核心技术的先进程度可想而知。

东微半导体还在招股书中对其核心产品MOSFET与同行业同类产品进行了优质比较以显示其产品的先进性。但事实上，通过其披露的性能对比数据来看，其主要产品与行业同类产品相比，并没有多少优势；性能方面较为优秀的东微超级硅MOSFET系列产品则在2018年尚未生产销售，2019年、2020年虽有销售，但为其带来的收入甚微，据披露，该产品销量分别为3.10万颗、14.17万颗，销售金额为8.32万元、40.36万元，占比仅在0.1%左右。此外，该产品的产销率也很低，分别为29.63%、59.13%。可见，该产品在市场上销售状况并不怎么好。

痛失“高新技术企业”金字招牌

东微半导体自称是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，是率先量产充电桩用高压超级结MOSFET器件的本土企业，打破了国外企业垄断格局，其在招股书中一再标榜自己技术的先进性，但令人意外的是，东微半导体竟然未能保住其“高新技术企业”的金字招牌。

据招股书显示，2017年12月27 日，其取得高新技术企业证书（证书编号：GR201732003993），有效期三年。但2020年度，却未能通过高新技术企业认定，以至于当年度无法再享受高新技术企业税收优惠，企业所得税税率由15%调整至25%。

《红周刊》记者查询东微半导体的可比公司发现，2020年新洁能、华微电子、华润微、扬杰科技、士兰微均有母公司或子公司通过高新技术企业认定，然而惟独东微半导体却痛失该项金字招牌，导致其所得税税率增加。

2020年度高新技术企业认定，除了需满足所需的条件外，采取的是评分制度，主要从知识产权、科技成果转化能力、研究开发组织管理水平、企业成长性等四项指标进行评价，各级指标均按整数打分，分值分别为30分、30分、20分、20分，满分为100分，综合得分达到70分以上（不含70分）为符合认定要求。东微半导体未能通过认定，这意味着其最终评分可能并未达到及格线，而具体是什么原因所致，企业并未在招股书中披露，但这意味着其相关指标方面可能存在着不足。

从上述诸多情况来看，东微半导体是否符合科创板的定位是值得商榷的。

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