民德电子：SGT-MOSFET产品准备开始批量销售 明年重点推进IGBT工艺平台建设

集微网消息 近日，民德电子在接受机构调研时表示，公司储能端的功率半导体主要产品是SGT-MOSFET，也是广微集成今年重点进行量产的产品，应用领域主要是在储能端的BMS电源输出和电路保护系统，是一款中低压产品，覆盖范围从20-200V，产品在家用和风光发电等领域的储能端都可以应用。

其进一步指出，公司将结合产品市场情况，基于自主可控的供应链，逐步推出IGBT等新产品。谢刚博士是国内最早一批从事IGBT国产化工艺平台建设的产业专家，曾参与华润上华1200V和3300V NPT型IGBT工艺平台建设，在硅基IGBT的科研及大规模产业化方面有丰富经验积累；待浙江广芯微电子的晶圆代工产线建成、供应链自主可控后，公司计划明年重点推进IGBT工艺平台建设。国内新能源车厂商目前对于国产IGBT等新产品验证也持开放态度，只要产品符合品质要求，也会尽快安排验证；公司也将和相关厂商保持密切接触，尽早完成验证和批量供应工作。

对于公司功率半导体产品布局定位，民德电子表示，广微集成产品定位是面向进口替代市场，面向工业和新能源领域。

目前广微集成的主要产品是沟槽式肖特基二极管和SGT-MOSFET，沟槽式肖特基二极管主要在深圳方正微电子代工，终端应用领域包括光伏接线盒、工业电机电源、网络电源及手机快充等；SGT-MOSFET产品在广州粤芯代工，目前已验证通过，完成工程上线，准备开始批量销售，是公司2022年最重点的产品，主要应用于储能端的BMS电源输出和电路保护系统。针对新能源汽车等领域，公司也会在供应链自主可控的情况下，逐步推出包括IGBT、超级结MOS、碳化硅器件等产品，并尽快完成市场验证。

民德电子认为，未来一段时间，在功率半导体领域会出现比较大的景气度差异。面向工业和能源领域的功率半导体器件，随着“双碳”战略推动，光伏、储能、新能源汽车等领域对功率半导体器件的需求会持续增加，同时因为功率半导体扩产所需的人才、设备等短时间内无法迅速增加，且需要资金及政策等方面的强力支持，所以短期内供给端增长不会有太大变化。

同时，目前国内中高端功率半导体器件约七-八成为国外品牌所占据，进口替代市场空间巨大，因此未来两年面向工业和能源领域的中高端功率半导体器件大概率会保持供不应求。但在面向消费电子领域的功率半导体器件，因参与厂商很多，且受消费电子周期波动影响明显，市场行情好的时候价格会上涨较大，但行情不好时下跌也会比较严重。因此市场景气度方面还是要看公司产品的定位，如果面向进口替代、面向工业和新能源等高端市场，未来几年的市场景气度还是会比较高。

（校对/七七）