半导体分立器件要平等：我们不比IC差

“今天在会上我听到最温暖的一句话就是今后我们半导体分立器件产业将划归工信部信息产品司集成电路处管理，关白玉处长的这句话令我们非常激动。”在前不久深圳举办的2009中国半导体分立器件市场年会上长电科技副董事长于燮康在大会上表示，“这表示以后政府将加大对分立器件厂商的扶持力度。”长期以来，看到自己的同胞兄弟（集成电路厂商）不断享受各种扶持政策，而自己只能作为旁观者的分立器件厂商这下终于等到了平等权益的这一天。
　　
事实上，随着市场对半导体分立器件（分立器件为啥受冷落）的要求越来越高，一些先进分立器件的技术水平与集成电路不相上下，特别是一些特殊的高功率、高压分立器件，需要非常高的技术门槛，享受与集成电路企业一样的“高新技术企业”待遇是早就应该解决的事情。
　　
“虽然有越来越多的分立器件集成到IC中，但是分离器件将是不可替代的，其低成本性、灵活应用特性、可靠性以及且采购渠道和资源丰富等特点决定了用户对它的持续需求。”于燮康说道，“特别是一些高功率的分立器件，是未来多种应用中将扮演重要的角色。”比如在将来的混合电力/纯电力汽车中，高功率分离器件将扮演重要角色，这也是我国很多分离器件厂商正在研发的方向。
　　
2008年在全球市场大幅下滑的情况下，中国的分立器件出货量为2461亿只，比07年下滑1.1%，而销售额更是增长12.3%，达到938亿元，好于其它市场。“2008年我国分立器件产销的一大亮点主要得益于全球电子整机对节能、环保需求的不断增长，这一方面带动了分立器件产品的需求增长，另一方面也带动了市场产品结构的快速升级。”于燮康解释。产品结构的快速升级带来的是销售额比产量更快速地增长。“未来几年，分立器件将向微型化、片式化、高性能化方向发展，功率分立器件大有作为。同时，汽车电子市场对功率器件的需求迅速增长。”
　　
划归集成电路管理处后，半导体分立器件企业将有可能享受与集成电路企业一样的扶持政策，这将为分立器件业的发展注入一股强大的催化剂。不过，会上中国半导体行业协会秘书长徐小田表示，大家不要对“两税”的减免寄予过高的期望。
　　
“一号文件中规定了对高新技术企业所得税减半，如果评不上高新企业就不能享受这个待遇；另外增值税减免对集成电路企业也没有特殊待遇，现在是阳光普照，对国内/进口设备同样待遇。”他接着指出，“两税政策就那样了，企业不要再寄予过高的希望。另一方面也说明，企业不要太过依赖于减免税政策，要从自身创新寻求发展。包括资本、人才、技术和产品的创新。”
　　
分立器件业的发展趋势

半导体分立器件通常总是沿着功率、频率两个方向发展，发展新的器件理论、新的结构，出现各种新型分立器件。于燮康指出以下几种热门半导体分离器件的发展方向。
　　
一是发展电子信息产品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光电子器件、变容管及肖特基二极管等；二是发展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半导体材料为基础的新型器件；三是跟踪世界半导体分立器件发展趋势，加强对纳米器件、超导器件等领域的研究；四是分立器件封装技术的发展，要以片式器件为发展方向，以适应各种电子设备小型化、轻量化、薄型化的需要。
　　
中国电科集团南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室邵凯对微波器件的发展趋势发表如下看法：微波器件的应用主要分为三大类：以手机射频功放为代表的输出功率小于5W，工作频率为S波段以下的中功率射频器件；以移动通信基站功放为代表的大功率射频器件；以及主要用于通信、雷达等领域的X波段及更高频率的微波毫米波功率器件。
　　
它涉及到的半导体材料包括第一代的硅，第二代的砷化镓、磷化铟以及第三代的氮化镓和碳化硅等。不同材料适合不同应用。目前砷化镓异质结双极晶体管（GaAs HBT）是手机射频功放的主流技术；移动通信基站功放则主要用硅横向扩散金属氧化物半导体场效应器件（Si LDMOS）；微波毫米波功放主要用砷化镓配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）。但其它材料和器件结构也在参与激烈竞争，尤其是第三代半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的出现带来了新的希望。
　　
中国电子科技集团公司赵正平则指出，GaN HEMT在微波毫米波领域有了突破性进展，目前正处于从科研向工程化转化的关键时期。由于其高的击穿场强，高电子饱和速度，高的两维电子气浓度，SiC衬底的高热导率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。预期2010年GaN HEMT将在军民用系统中获得应用。