美光研发混合型DRAM-NAND存储

DDR4是一套由JEDEC(即电子元件工业联合会)推出的标准化规范，其每秒数据块传输量达到至少21亿个数据块(数据块的大小取决于内存芯片的字节长度)，这样的性能表现令DDR3望尘莫及。根据EE Times发布的报告，美光公司有信心在18个月内将其混合型产品推向市场。

由硅材质打造的内存-闪存集合体将作为混合型动态直插式内存模块(缩写与常见的DIMM一致)投入使用，下图所展示的即为由三星公司推出的DDR4模块。

美光公司的混合型DIMM通过控制器芯片继承了高速DRAM与非易失性NAND存储两者的优秀基因。下图显示的正是这款产品的运作概念：


美光DDR4总线HDIMM概念图

在概念图中，混合型DIMM(简称HDIMM)控制器将与服务器中的DDR4总线相接驳，用于处理DRAM与NAND在访问过程中由延迟所带来的误差。而在制造商打算将NAND闪存替换为相变内存时，我们也可以对非易失性内存(简称NVM)控制器进行更新以适应新的工作机制。由于板件本身同时承载了DRAM与NVM，它就能够在保持DRAM速度优势的同时利用NVM的数据非易失特性。

但是这么做到底有何意义?DRAM的访问时间通常以纳秒计(即十亿分之一秒)，而NAND的访问时间则以微秒计(即百万分之一秒)——在存储领域，NAND已经拥有相当高的普及度，但DRAM却始终打不开局面。换言之，为了获得可以接受的存储容量，我们不得不放弃内存那令人惊叹的传输速度、转而使用速度更慢但容量更大的闪存方案。以下是全新混合型方案的适用方向：

在内存中保存大型数据库;

在NAND前端利用DRAM缓存替代固态硬盘;

具备闪存交换空间的DRAM模块;

DRAM辅助下的闪存块存储。

美光公司的HDIMM在容量方面已经有望突破256GB，该公司还希望微软的Windows操作系统能够对其方案提供平台支持。微软公司已经对这一概念表达了关注，但并没有做出明确承诺。这种技术真能一飞冲天吗?以目前的参数来看，其发展前景还是有一定保障的，但前提在于其它DRAM及闪存厂商对此表现出足够的兴趣，且能够招徕各操作系统平台的广泛支持。