【观察】富士康跨界布局第三代材料SiC 解EV充电痛点只是目的之一
来源:Amadeus发布时间:2021-09-07215浏览
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宽禁带(WBG)化合物半导体特别是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)高度受到业界重视,在5G、汽车电气化、新能源车等趋势起飞的产业现况下,除国际IDM功率元件龙头布局前仆后继外,国内多家半导体企业,甚至有意从系统厂跨界次世代化合物半导体领域的富士康集团等,都看好第三代半导体材料有效解决电动车(EV)充电痛点的优势。
富士康集团总裁刘扬伟公开指出,电动车领域目前遭遇三大问题:其一,充电时间过长;其二,续航力不足;其三,EV价格高于传统燃油车。富士康集团致力于解决客户问题,买下旺宏6吋晶圆厂正是为了在功率半导体转攻第三代材料的SiC元件。
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