半导体行业命名的艺术丨快评
来源:Amadeus发布时间:2021-09-07444浏览
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| “菩提玉斋”是“蛋炒饭”的另一种叫法
业内所谓的“某代半导体材料”,通常指的是:以硅、锗为主要代表的第一代半导体材料;以砷化镓、磷化铟为主要代表的第二代半导体材料;以氮化镓、碳化硅为主要代表的第三代半导体材料以及以氧化镓为主要代表的第四代半导体材料。在国际上,“第三代”以及“第四代”半导体材料还有更为通用的称谓,即:“宽禁带”和“超宽禁带”半导体材料。 但对某些人而言,“宽禁带”或者“超宽禁带”并不是一个讲故事的优秀素材,如何直观地体现材料的“优越性”以及投资前景?“第三代”以及“第四代”的命名艺术应运而生。 人们在讨论“某代”产品时,潜意识里通常默认新一代的产品性能是强过旧一代的,一些地方政府对此深信不疑。但对半导体材料而言,事实并非如此。 “某代半导体材料”之间的区别,其实更多地体现在其应用场景上,而并非本身的先进性。比如碳化硅主要应用于电力电子、新能源汽车、充电桩等领域;氮化镓则主要用于光电子产品如LED、射频器件等产品上。各代之间是并列关系,而并非替代关系,更不存在某代产品完全强于上一代的说法。如今半导体市场的90%仍然是以硅材料为代表的第一代半导体。盲目地以“第三代”、“第四代”来命名新型半导体材料,容易混淆视听,造成对产业发展方向的误判,不利于产业的健康发展。 无独有偶,在7月27日,英特尔一口气秀出了公司史上最详细的制程工艺和封装技术路线图,其中最能引起广泛讨论的,便是英特尔将之前的10纳米Enhanced SuperFin更名为Intel 7,原本的7nm更名为Intel 4......原本一直被人所诟病的7nm工艺延迟的问题,英特尔通过改个名似乎就能轻松提前实现。 在二十世纪九十年代以前,逻辑技术节点等同于其制造的晶体管的栅极长度,使用“XXnm”的命名法能直观地解释其工艺技术。而在1997年之后,随着摩尔定律的推进,业界发现基于纳米的传统制程节点命名方法,已经不再与晶体管实际的栅极长度相对应。此后的传统制程节点命名方法,更多地只是一个代号,而不能真实地表现物理尺度。 例如,台积电的7nm工艺的晶体管密度,如果仅比较命名,应该是高于英特尔的10nm工艺的,但是事实却正好相反。原因便是在于近几年英特尔还在遵循基于“摩尔定律”的传统命名准则,每一代晶体管密度翻倍,但是台积电却是工艺有提升就使用新一代的工艺命名发布,这也使得英特尔10nm工艺的晶体管密度其实略高于台积电的7nm。 此番英特尔采用全新的工艺命名方法,也是为了与台积电和三星在同一规则下更好地竞争。今年三月份,英特尔宣布开启“IDM 2.0战略”,重拾抛弃许久的晶圆代工业务。英特尔在工艺制程上的全新命名艺术,到底是一场自娱自乐的营销,还是破后而立的重生,或许时间会给我们答案。

这种向外界“秀肌肉”的动机很好理解,在语言上赶超竞争对手,在资本市场收割韭菜,在人们心目中树立某种高大上形象。如最近火爆的汽车圈,此前一直存有用“自动驾驶”替代“辅助驾驶”的用法,导致事故连连,最终不得改回正常的“辅助驾驶”,其目的则是给消费者灌迷魂汤,以销售自家车辆。在汽车上游,有些芯片企业为了挤进“车规”行列,也开始玩起文字游戏,一句“已导入产品设计”便让股市利好,如今是芯片企业一沾汽车就涨停的时代,大家摩拳擦掌。此前,有企业表示,由于自己的宣传不积极,导致不如自己的企业的名声比自己还高,只能吃哑巴亏。

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