三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容

8 月 22 日消息在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有8 层 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB 内存模块是可能实现的。

通过优化封装，三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。由于管芯之间的间隙更小（减少 40%）以及通过实施薄晶圆处理技术，高度的降低成为可能。重要的是，8 层 TSV 模块将提供更好的散热。

三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的性能，提供高达 7.2 Gbps 的带宽，以及高达 512GB 的双倍容量。同时，新模块将具有更低的 1.1V 电压，提高电源效率。

三星表示，预计到2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存，数据中心市场的产品将更快推出，计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。