兆易创新首款自研DRAM实现量产 有望分享行业高景气

兆易创新今日宣布，首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列现已量产，实现从设计、流片，到封测、验证的全面国产化，助力国产自主供应生态圈的发展构建。

兆易创新副总裁、DRAM事业部总经理胡洪表示，首款自有品牌DRAM产品标志着兆易创新正式入局DRAM这一主流存储市场；未来公司将加速DRAM产品线布局，陆续推出DDR3、DDR4等接口的不同容量的系列产品。

去年以来，5G、消费电子、AI、物联网等市场快速发展，叠加疫情下居家办公、远距学习模式，存储需求大幅拉高，推动存储器产业持续成长。存储大厂美光CEO也看好产业存储需求，指出NAND和DRAM供给面紧俏态势将延续至2022年。

供需缺口拉大下，存储芯片一路上涨。其中，DRAM Flash Q2报价涨幅已进入全年峰值，从4月至6月累计涨幅将达到20~25%。另有业内人士预估，Q3 NAND Flash合同市场价涨幅甚至有望超过DRAM。

IC Insights预计，全球存储芯片市场将持续4年高景气度，2020-2025年全球存储芯片市场年复合增长率将达10.6％。其中，DRAM和NAND闪存会是2021年增长最快的两个细分领域。

统计数据显示，存储芯片市场集中度较高，市场中DRAM产品占比约53%，NAND则约为42%。中国存储芯片市场规模超3000亿元，DRAM和NAND合计占比达98%。

然而，存储器行业目前主要被海外公司垄断，大陆进入产业较晚，因此作为全球存储最大市场，自给率几乎为零，国产化势在必行。

NAND方面，国内厂商已有布局。国金证券6月3日指出，SLC 是进入MLC、TLC 及 3D的必经之路，国内厂商具备本土化优势，可以稳步占据供应链关键位置。

DRAM领域，国内厂商也已开启加速追赶，主要厂商包括兆易创新、福建晋华、合肥长鑫、紫光南京等。其中，国金证券上述研报指出，兆易创新首款自研DRAM主要面向IPC、TV等消费类利基市场，由于工艺制程先进，产品具备强劲市场竞争力，收获期在望。

此外，业内分析人士表示，我国已出台一系列产业政策推动国产存储器发展，存储产业链国产化比例提升持续加速。