Digi-Key现在库存Cree的SiC RF功率MESFET
来源:达普IC芯片交易网 发布时间:2008-03-06 分享至微信
日前,电子元件经销商Digi-Key Corporation与宽禁带晶体管及射频集成电路(RFIC)的供应商Cree, Inc.共同宣布,Digi-Key现在库存并准备发运Cree的碳化硅(SiC)金属半导体场效应晶体管(MESFET)。
Cree的10W CRF24010及60W CRF24060是非内部匹配的SiC RF晶体管,能够支持极宽的工作带宽。与硅或砷化镓相比,SiC具有出色的特性,其中包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度,以及更高的导热性。SiC MESFET具有更高效率、更大功率密度及更宽带宽。SiC MESFET专为宽带军用通信、安全国防通信、A类及A/B类放大器、TDMA、EDGE、CDMA、W-CDMA宽带放大器及WiMAX等应用进行了优化。
Digi-Key还提供了CRF24010-TB及CRF24060-TB演示测试夹具。这些产品已列入Digi-Key的印刷目录和在线目录中,可从Digi-Key直接购买并且可当日发运。
Digi-Key总裁兼首席运营官Mark Larson指出:“我们非常高兴为我们客户提供这些高质量产品。Cree MESFET的功率密度与效率优势将使众多工程师能够提高他们新设计的性能。”
Cree射频与微波产品总监Jim Milligan强调:“我们非常高兴Digi-Key将我们的SiC MESFET添加到其日益增长的电子元件产品线中。经验证,Cree的48V产品非常适用于在宽工作带宽上需要高功率及效率的应用——尤其适用于在高温环境中运行的应用。我们相信使用Digi-Key分销服务所带来的便捷将帮助加速该技术的普及。”
[ 新闻来源:ic72,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!
达普IC芯片交易网
开创IC领域,共创美好未来!
查看更多
相关文章
泰国首座SiC功率半导体厂获Powermaster技术支持
2024-09-27
3.3 kV碳化硅MOS业界领先的(SiC)功率器件,实现更高的效率与可靠性
2024-09-09
罗姆与联合汽车电子签长约,长期供应SiC功率元件
2024-09-10
罗姆与长城合作开发SiC芯片,加速EV功率模块升级
2024-10-06
台积电入驻日本九州熊本,引领SiC功率半导体产业崛起
2024-09-09
热门搜索