大陆发展DRAM策略，整合最快3~7年
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，中国发展DRAM策略方案已呼之欲出，技术来源、研发团队与IP是关键亦是挑战，预计相关软硬件的整合最快需要3~7年。
自2014年10月14日中国工信部宣布国家积体电路产业投资基金（中国简称大基金）成立，挟带着1300亿人民币基金，中国政府正有计划的向全世界吸纳可用资源，展开并购计划与策略结盟。中国工信部电子信息司司长丁文武主导的半导体小组，对于中国DRAM未来的发展已有明确的方向，同时遴选了半导体相关的顶尖业界人士担当评审委员，跳脱传统的政治评估，各地方政府拥有的技术、人力、财力及资源才是入选的重要考量点。
DRAMeXchange 表示，中国DRAM研发与发展团队正式成军，将牵动着中国半导体相关公司间的策略结盟与高层异动，也带动具群聚效应的半导体业者往中国靠拢。目前已经呼之 欲出的方案，是以既有的半导体基地、公司为发展基础，结合中国具相关经验的高阶干部，结盟相关中国半导体公司与IC设计公司。而与三大DRAM厂洽谈合作 机会的方针也持续进行中。
DRAMeXchange表示，中国政府挟带丰沛资金与广大市场宣示进军全球半导体产业，DRAM产业将是中国 进入半导体的重要目标；但业界先进如三星、SK海力士与美光在DRAM业界耕耘已久，众多的IP智财亦形成了门槛极高的竞争壁垒。由于缺乏DRAM三大阵 营的技术来源与相关生产经验，藉由并购并取得IP成了中国进军DRAM领域最快的敲门砖。去年的英特尔与展讯的模式就是一例，一者提供技术支援、一者在中 国本土市场有先占优势，互相合作可望带来加乘效果。今年6月11日，中国武岳峰资本以每股21美元，高于另家美国半导体公司赛普拉斯的原先报价20.25 美元夺回美国上市的芯成半导体，亦可看出中国政府对于取得IP智财提升DRAM领域技术竞争力的重要性。
至于拥有丰富半导体经验与技术的台湾，也是中国争取合作的对象，各省市负责高层频频来台亲自拜会相关公司，看中的就是台湾在全球的研发团队在研发实力与国际接轨能力，更不排除从台湾等地招募有经验的DRAM团队。
DRAMeXchange 表示，发展DRAM产业已经是中国既定的政策，能否找到技术合作的伙伴、有丰富经验的团队与IP智财的取得，将是未来中国半导体计画能否成功，甚至加速量 产的关键。不同于NAND Flash产品，即使品质不好亦有低阶产品可以使用，DRAM产品不论容量大小都不容许任何错误，如果技术到位，中国将先切入技术较容易的标准型记忆体与 利基型记忆体，再进军近年成长快速的Mobile DRAM，软硬体的整合预估最快需要3~7年，初期首重中国内需市场，并以全球市场为目标推进。
大陆DRAM厂落脚武汉！左拉美光海力士、右挖台湾人才墙角
DRAM产业同被视为中国大陆重点扶植项目之一，台面上有中国武岳峰资本收购美国半导体公司ISSI ，台面下左与国际大厂谈技术合作、右挖台湾人才墙角，台湾竞争威胁加剧，最重要的人力资产也正在流失。
据悉，中国积极发展 DRAM 产业，将选择一个省市设置本土DRAM厂，近日科技新报取得进一步消息，据中国业内人士表示，DRAM厂最终将落户武汉，并由武汉新芯集成电路负责DRAM厂设厂事宜，消息来源进一步透露，新厂将由上海中芯国际营运长赵海军所主导，回溯历史，2006年武汉新芯建厂之时，武汉市政府曾委托中芯国际代管，也让这项传闻更加耐人寻味。
而可能挑动台湾敏感神经的是赵海军的背景，赵海军在入 主中芯之前，为台湾 DRAM 厂茂德技术发展暨产品本部兼大中华事业部副总裁，在中国发展半导体用人孔急当下，大挖台湾人才、团队的消息已不是新闻，据悉，中国已与前茂德团队接洽，同 样被视为挖角目标的还有台湾瑞晶团队与华亚科、南亚科人才，然目前仍在洽谈还未有更多细节流出。
以过往状况来看，中国挖角给薪并不手 软，2012 年京东方、华星光电等中国面板厂就以 3~4 倍薪水挖角台湾面板人才，除了重金，股票也成了诱因，据联合晚报 2014 年 10 月披露的消息，中国半导体大厂以年薪 250 万、150~200 万未上市股权，约联发科工程师两倍的条件抢人。
中国发展 DRAM 的难点一为人才二就是技术，除了大挖台湾人才，传出目前中国也循展讯与英特尔合作模式与美光、SK 海力士洽谈技术合作，据悉后者表示具高度兴趣。
中国发展 DRAM 渐渐在人才、技术寻求突破点，即便影响可能在 3~5 年之后，但当此时台湾重要的人才资产流失、未来技术优势可能也不再明显，能靠什么与中国拚搏？红潮进逼台厂警铃大响，如何化危机为转机，端看台湾政府与厂商的智慧了。
不过DRAM微缩到顶！新存储器MRAM、ReRAM等接班？
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，业界认为次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体”(MRAM)、“可变电阻式记忆体”(ReRAM)可能即将现身，要以更快的存取速度横扫市场。
韩媒BusinessKorea 16日报导，南韩半导体业者指出，16奈米将是DRAM微缩制程的最后极限，10奈米以下制程需要缩小电晶体体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合 采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM和ReRAM因此备受期待，认为可以取代DRAM和NAND Flash，业者正全力研发。
两种新记忆体都是非挥发性记忆体，切断电源后资料也不会消失，速度比现行记忆体快上数十倍到数百倍之多，由于内部构造较为简单，理论上未来微缩制程也有较大 发展空间。其中MRAM采用磁阻效应(Magnetoresistance)技术，研发业者有SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)。ReRAM则靠着绝缘体的电阻变化，区别0和1，外界认为或许能取代NAND型快闪记忆体(NAND Flash)。
日经新闻2014年1月1日报导，东芝（Toshiba）将携手南韩海力士（SK Hynix）预定2016年度量产大幅提高智慧型手机性能的次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）”，量产时间将比美国美光科技（Micron Technology）所计画的 2018 年提前了约2年时间。
MRAM研发可分为三大阵营，除了上述的东芝/SK海力士之外，三星电子也正进行研发，而美光则和东京威力科创（Tokyo Electron）等20家以上日美半导体相关企业进行合作，希望于2016年度确立MRAM的量产技术、之后并计划 2018年透过美光子公司尔必达（Elpida）的广岛工厂进行量产。
Market Realist去年4月28日报导，美光科技(Micron Technology)和Sony在国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference)上表示，正透过27奈米制程，开发16-Gbit的ReRAM；Sony预定2015年量产ReRAM晶片。专家表示，三星 (Samsung)应该也在研发包括ReRAM的次世代储存科技。
