据Semiconductor Reporter网站报道，位于美国纽约的Crystal IS日前宣布，该公司已开始对外提供世界第一款商业化2英寸氮化铝衬底材料。该材料将用于高功率射频电路和蓝光及紫外频段的光电子器件。
该公司声称已开发出新型的晶体生长技术。切片和抛光之后，这种晶体可以做为氮化铝和铝镓氮等器件的衬底材料。由于高的热导率和与器件层的低晶格失配率，这种材料在可靠性和工作功率方面具有其它材料无可比拟的优势。并且，使用这种材料制造的光电子器件可以达到目前已有材料无法达到的深紫外波长。
据该公司CEO Ding Day表示，这项技术还开启了生物传感器、光线治疗、水及空气净化等多项市场机会。
据该公司称，他们的氮化铝体材料具有极低的缺陷密度，目前的两英寸氮化铝衬底具有50%的有效单晶使用面积，该公司正在努力把该数值提高到100%。
