KnowlesPrecisionDevices宣布发布单层100nF电容器，属于V系列单层电容器。100nF是一种高频，可引线键合的单层电容器，非常适合小尺寸和微波性能至关重要的GaN和GaAs放大器应用。它的最高工作频率为40GHz，并具有X7R温度稳定性和引线键合性。该电容器是滤波，调谐和耦合应用的理想选择。
这种单层电容器的优点：
高电容密度。
GaN的更高电压处理能力。
在30mil的正方形尺寸中最高10nF。
高达200W的功率可满足大功率系统的需求。
可以安装环氧树脂或AuSn焊料。
100nF利用具有X7R特性的II类介电材料在很宽的频率范围内实现DC阻隔和RF旁路。它提供了最佳的湿气敏感度等级（MSL-1），并且具有高电容密度，可以使用导电环氧树脂或通过AuSn焊料安装。
需要保护宽带增益的高频MMIC放大器免受电源线上RF噪声的影响。电源噪声会与RF信号混合，影响信噪比并可能导致杂散输出。因此，可以在RF旁路电路中使用100nF的噪声来消除电源线噪声。旁路电容器在进入增益级之前为电源线上的RF提供了一条有效路径。
