11 月 5 日，由ASPENCORE 举办的“2020 全球高科技领袖论坛 - 全球 CEO 峰会 & 全球电子成就奖颁奖典礼”在深圳召开。今年的全球 CEO 峰会以新常态下电子产业的“重思、重构、重升”为主题，邀请了数十位全球电子行业 CEO 亲临现场，旨在共同探讨共同探讨电子产业从业者如何守望相助、携手打造新的全球技术协作框架。瑞能半导体也应邀出席本次大会并带来了精彩分享。

在全球CEO峰会上，由于疫情缘故，瑞能CEO Markus Mosen先生没办法如约来到深圳活动现场，瑞能首席战略&业务运营官沈鑫先生代为出席并发表了名为“理想照进现实，拥抱第三代半导体新纪元”的主题演讲。这里所指的第三代半导体，对瑞能而言主要指SiC MOSFET器件。该市场目前主要由国际上几家大的功率半导体公司所主导，市场规模相对来说不大，但增长速度极快。瑞能从2012年开始开展碳化硅材料领域的器件研究，目前，碳化硅肖特基二极管已经大规模量产，并被电源客户广泛采用，碳化硅MOSFET产品也陆续推出市场。

沈鑫在演讲中表示第三代半导体发展迅猛的趋势跟我们40年内消费习惯、生活习惯的改变有着密不可分的关系，最具代表性的应用-新能源汽车的大量涌现，极大带动了二次能源的使用量，随着电动汽车市场规模的快速增长，SiC MOSFET出货量的显著上升将不会令人感到意外。虽然目前来看，SiC MOSFET的发展主要受制于两个方面：碳化硅晶圆材料的品质和产品价格。但沈鑫认为，在可预见的未来，随着供应链的发展，其整体系统成本与硅基产品会越来越接近。他说到 “其实，即便单个碳化硅器件价格高于传统硅器件，但我们更看重它在降低系统成本方面所起到的关键作用，尤其是业界一直以来在封装、应用、结构改进、与硅器件相融合等方面进行系统级优化，我相信整个行业会越做越好。”在沈鑫看来，无论是在中国、欧洲还是美国，行业协会在促进同行业中不同公司间的协作，尤其是上下游之间的协作方面，起着不可替代的作用，这对瑞能这样的IDM公司来说更是如此，双方合作意义巨大。

除全球 CEO 峰会外，ASPENCORE 还同期召开了全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 颁奖典礼，旨在表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的人物，产品和企业。

在颁奖典礼上，瑞能半导体凭借不俗的表现包揽两项重磅奖项--瑞能首席执行官 Markus Mosen 荣膺 2020 年 ASPENCORE 全球电子成就奖 (WEAA) 之年度贡献人物奖;瑞能半导体1200V 碳化硅 MOSFET获得年度功率最佳产品大奖。

由于疫情的缘故，Markus Mosen 先生没办法来到深圳，在颁奖晚宴上，通过视频的方式，他首先用中文表示了不能到达现场的遗憾，他说到“ 很高兴获得由WEAA 评审委员选出的“年度贡献人物奖”这是对我们公司的有力肯定，我深感荣幸”他强调到，这个奖项不止是对他个人的认可，也是对整个公司，整个瑞能团队的认可，正是每一位瑞能员工的不断努力才让瑞能成为了整个半导体行业的佼佼者。

MarKus Mosen 先生荣获全球电子成就奖（WEAA）之年度贡献人物奖

Markus Mosen先生拥有逾28年半导体行业全球运营和产品线管理经验，自2015年出任瑞能半导体科技股份有限公司CEO以来，凭借其极其敏锐的市场洞察力，奠定了瑞能半导体以科技为先的发展基础，带领团队先后开发并成立了中国、亚太，欧洲及北美区销售和市场业务办事处，扩大了瑞能的事业版图。面对2020年疫情带来的巨大挑战和国际市场不确定性，Markus先生根据市场动态和需求，及时调整了公司的组织架构和发展战略, 不断推进产品多元化发展，拓宽产品组合和产品应用。

与此同时，在这次WEAA全球电子成就奖的评选中，瑞能半导体1200V 碳化硅MOSFET也凭借突出的产品特性，夺得2020年度功率半导体大奖。

瑞能半导体1200V 碳化硅 MOSFET获得年度功率最佳产品大奖

瑞能1200V碳化硅MOSFET产品使用独特的高性能与高可靠性兼备的平面栅自对准工艺，可提供出色的开关性能和苛刻应用条件下的强鲁棒性。此外，超薄的晶圆厚度和紧凑的单位元胞设计使得产品的比导通电阻达到业界较低水平。

目前瑞能1200V碳化硅MOSFET包含160mΩ\80mΩ\40mΩ\25mΩ等多个规格，同时可提供TO247-3L, TO247-4L, D2PAK-7L等多种封装形式。可广泛应用于开关电源、光伏逆变器、充电桩、新能源汽车等多个领域。相比于市场现有产品，瑞能碳化硅MOSFET在高温工作条件下仍然具有较高的安全阈值电压和较低的导通电阻。