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基于摩尔定律即将走到极限，各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及硒化锌等宽频半导体为主，有别于第一代的硅（Si）、第二代的砷化镓（GaAs）之半导体材料。

 

根据市场研究机构Grand View Research进行的一项氮化镓(GaN)半导体市场研究，预测到2027年，全球GaN半导体器件市场规模预计将达到58.5亿美元，从2020年到2027年，复合年增长率为19.8％。市场增长原因，因氮化镓（GaN）技术进步及在各种半导体器件产品应用呈现增长态势，例如：5G无线通信设备的需求（主要在国防通信领域、E类，F类和C类功率放大器）推动需求的成长。

 

在航空航天和国防技术公司方面，例如：L3Harris Technologies Inc.；Northrop Grumman公司；BAESystems正在与政府机构合作，将氮化镓半导体用于军事电子战（EW）系统和AESA雷达应用。2012年2月，Northrop Grumman公司设立了先进技术实验室，以开发用于关键军事项目的氮化镓半导体。该公司与美国政府已投资超过3亿美元，用于在军事系统中开发和集成GaN半导体，以增强太空，飞机和地面防御通信系统的功能。

 

一些公司动态，如恩智浦宣布在美国建厂所要生产5G用芯片，材料也是氮化镓；Transphorm公司（硅芯片上氮化镓功率器件的初创公司）宣布已完成一笔3500万美元的E轮融资。本轮融资由日本创新网络公司（INCJ）和日本国际电子公司（NIEC）领导。

 

还有，电动车辆的车载充电站和EV充电桩的供应设备中对GaN半导体装置的需求已经增加。例如，在2019年10月，名古屋大学发布了一款完全使用氮化镓半导体装置的电动汽车All GaNVehicle。与目前使用SiC开发的电动汽车相比，该汽车的效率提高了20％。由于这些芯片在车载资通讯娱乐主机（IHU）和高级驾驶员辅助系统（ADAS）等汽车应用中的使用量不断增加，因此预计8英寸芯片市场将受到高度关注。

 

由于，对高效和高性能射频零组件的需求不断增长，以及中国、日本和韩国等国家的电动汽车产量激增，亚太地区有望成为GaN增长最快的地区市场。例如，中国『十四五规划』投入10兆人民币抢占第三代半导体自主。

 

GaN半导体装置零组件，包括：晶体管、二极管、整流器、电源IC及其他。

 

目前，氮化镓（GaN）半导体装置市场主要参与者：

Cree

Efficient Power Conversion Corporation

富士通有限公司

GaN Systems

英飞凌科技股份公司

NexGen电力系统

恩智浦半导体

Qorvo, Inc.

德州仪器公司

东芝公司

 

从一些地区来看，日本也由政府集结上中下游产业合作发展GaN，5年内拨款90兆日圆资助研发氮化镓在半导体方面应用的大学、企业，目标2020年代后半全面量产。虽然，碳化硅发展比氮化镓更成熟，但日本是全球第一个研发氮化镓的国家，而且发展为成熟的材料自然有更多未来性，都可能是日本经产省决定押宝氮化镓的原因。物理学界曾有研究指出，若所有半导体都改用氮化镓为材料，目前所有电子产品耗电能减少10至25%。

 

中国计划正在制订的『十四五规划』(2021-2025年期间)将纳入第三代半导体产业发展，从教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现半导体产业独立自主。但目前尚不知是否集中发展GaN半导体。

 

欧盟也将上中下游产业聚集合作，抢攻第三代半导体产业发展。

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